5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LELF-R2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.74 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | O-LELF-R2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大功率耗散： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 60 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.006 µs | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAV105115 | NXP |
获取价格 |
DIODE 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| BAV105135 | NXP |
获取价格 |
DIODE 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| BAV105-T | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.3 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| BAV105T/R | PHILIPS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 60V V(RRM), |
|
| BAV105T/R | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.3 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| BAV105TRL | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.6A, Silicon |
|
| BAV105TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.6A, Silicon |
|
| BAV10AMO | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.3 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
|
| BAV10T/R | PHILIPS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 60V V(RRM), |
|
| BAV116-13 | DIODES |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.215A, 130V V(RRM), Silicon, PLASTIC, SOD-123, 2 PIN |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
