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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.74 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.25 V |
| JESD-30 代码： | O-LELF-R2 | 最大非重复峰值正向电流： | 4 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最大输出电流： | 0.3 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大功率耗散： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 60 V |
| 最大反向电流： | 0.1 µA | 最大反向恢复时间： | 0.006 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAV105TRL | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.6A, Silicon |
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| BAV105TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.6A, Silicon |
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| BAV10AMO | NXP |
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DIODE 0.3 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
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| BAV10T/R | PHILIPS |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 60V V(RRM), |
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| BAV116-13 | DIODES |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.215A, 130V V(RRM), Silicon, PLASTIC, SOD-123, 2 PIN |
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| BAV116-7 | DIODES |
获取价格 |
SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
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| BAV116-7-F | DIODES |
获取价格 |
Rectifier Diode, |
|
| BAV116HWF | DIODES |
获取价格 |
SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
|
| BAV116HWF-7 | DIODES |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.215A, 85V V(RRM), Silicon, |
|
| BAV116HWFQ | DIODES |
获取价格 |
SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
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