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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | O-LELF-R2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.8 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.25 V |
| JESD-30 代码： | O-LELF-R2 | 最大非重复峰值正向电流： | 4 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最大输出电流： | 0.3 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大功率耗散： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 60 V |
| 最大反向电流： | 0.1 µA | 最大反向恢复时间： | 0.006 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAV105/T3 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.3 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| BAV105112 | NXP |
获取价格 |
DIODE 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| BAV105115 | NXP |
获取价格 |
DIODE 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| BAV105135 | NXP |
获取价格 |
DIODE 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| BAV105-T | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.3 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| BAV105T/R | PHILIPS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 60V V(RRM), |
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| BAV105T/R | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.3 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| BAV105TRL | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.6A, Silicon |
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| BAV105TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.6A, Silicon |
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| BAV10AMO | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.3 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
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