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BAT85-TP-TP PDF预览

BAT85-TP-TP

更新时间： 2024-09-26 21:17:43
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 382K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, DO-35, GLASS PACKAGE-2

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BAT85-TP-TP 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-35
包装说明：O-LALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.37
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-35JESD-30 代码：O-LALF-W2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.2 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30 V
最大反向恢复时间：0.005 µs表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：TIN
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

BAT85-TP-TP 数据手册

  
M C C  
BAT85  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Micro Commercial Components  
SMALL SIGNAL  
SCHOTTKY  
DIODES  
Features  
•
•
For general purpose applications  
These diodes features very low turn-on voltage and fast switching.  
These devices are protected by a PN junction guard ring against  
excessive voltage,such as electrostatic discharges.  
This diode is also available in the Mini-MELF case with type  
designation LL85.  
•
ꢀꢁꢂꢃꢄ  
MECHANICAL DATA  
•
•
•
Case: Do-35 glass case  
ꢂꢁꢀꢆꢅꢄꢌꢍꢁꢃꢇ  
ꢉꢎꢏ  
Polarity: Color band denotes cathode end  
Weight: Approx. 0.13 gram  
ꢀꢁꢀꢍꢐꢄꢌꢁꢀꢇ  
ꢉꢊꢋ  
ꢑꢎꢊ  
ꢀꢁꢂꢃꢀꢄꢅꢁꢆꢇ  
ꢈꢈꢈꢈꢉꢊꢋ  
ABSOLUTE RATINGS(LIMITING VALUES)  
Symbols Value  
Units  
V
Repetitive Peak Reverse Voltage  
VR  
IF  
30  
Forward Continuous Current at T =250C  
200  
mA  
mA  
mA  
mW  
0C  
ꢂꢁꢀꢆꢅꢄꢌꢍꢁꢃꢇ  
ꢉꢎꢏ  
Repetitive Peak Forward Current at t<1s, ä< 0.5,T=250C IFM  
300  
Surge forward current at tp<10mS , T=250C  
Power Dissipation at T=650C  
Junction temperature  
IFSM  
600  
ꢀꢁꢀꢌꢀꢄꢀꢁꢃꢌꢇ  
ꢉꢊꢋ  
ꢑꢎꢊ  
Ptot  
TJ  
200  
125  
Dimensions in inches and (millimeters)  
Ambient Operating temperature Range  
Storage Temperature Range  
TA  
-55~+125  
-55~+150  
0C  
TSTG  
0C  
1) Valid provided that leads at a distance of 4mm from case are kept at ambient temperature  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Reverse breakdown voltage Tested with 100  
µ
A pulses  
30  
V
V
(BR)R  
F
F
F
F
F
V
Forward voltage  
Pulse Test t  
p
µ δ  
300 s, 2%  
V
V
V
V
V
at I  
at I  
at I  
at I  
at I  
F
F
F
F
F
=0.1mA,  
0.24  
V
=1mA,  
0.32  
V
=10mA,  
=30mA,  
=100mA  
0.4  
V
0.50  
V
0.8  
Leakage current  
Junction Capacitance at V  
Reverse recovery time Form I  
Thermal resistance junction to ambient Air  
R
V =25V  
2
µ
A
R
I
C
10  
pF  
ns  
R
=1V ,f=1MHz  
R
=10mA,I =10mA,I =1mA  
J
F
R
5
trr  
θ
JA  
ꢀꢁ  
300  
K/W  
R
1) Valid provided that leads at a distance of 4mm from case are kept at ambient temperature(DO-35)  
www.mccsemi.com  
Revision: 3  
2002/12/31  
1

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与BAT85-TP-TP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAT85-TR VISHAY

获取价格

 		DIODE 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode
BAT86 NXP

获取价格

 		Schottky barrier diode
BAT86 VISHAY

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 		Schottky Diodes
BAT86 MCC

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 		SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES
BAT86 GOOD-ARK

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BAT86 LGE

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BAT86 NEXPERIA

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 		Schottky barrier single diodeProduction
BAT86 SEMTECH

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 		SCHOTTKY BARRIER DIODE
BAT86 SUNMATE

获取价格

 		Plug-in Schottky diode 50V DO-35 series

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