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BAT86

更新时间： 2024-01-20 11:54:23
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RECTRON 整流二极管局域网
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1页 28K
描述
SILICON PLANAR SCHOTTKY BARRIER DIODE

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BAT86 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-35
包装说明：O-LALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.48
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.3 VJEDEC-95代码：DO-35
JESD-30 代码：O-LALF-W2JESD-609代码：e2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.2 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：50 V
最大反向恢复时间：0.005 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BAT86 数据手册

  
RECTRON  
TECHNICAL SPECIFICATION  
SEMICONDUCTOR  
BAT86  
SILICON PLANAR SCHOTTKY  
BARRIER DIODE  
FEATURES  
Fast Switching Device(TRR<4.0nS)  
DO-34 Package (JEDEC)  
*
*
*
*
*
*
Through-Hole Device Type Mounting  
Hermetically Sealed Glass  
DO-34  
Compression Bonded Construction  
All external surfaces are corrosion resistant and leads  
are readily solderable  
(
)
.022 0.56  
DIA.  
(
)
.018 0.46  
(
)
1.02 26.0  
MIN.  
(
)
.165 4.2  
MAX.  
(
)
.079 2.0  
DIA.  
MAX.  
(
)
1.02 26.0  
MIN.  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGES ( @ TA = 25oC unless otherwise noted )  
SYMBOL  
BAT86  
UNITS  
RATINGS  
V
R
I
F
Maximum Forward Comtinuous Reverse Voltage  
50  
V
Maximum Forward Comtinuous Current @ T =25OC  
A
200  
mAmps  
I
I
Repetitive Peak Forward Current tp<1s:δ<0.5  
500  
AmpsR  
mAmps  
OC  
FRM  
FSM  
5
125  
Surge Forward Current @ tp<10ms  
Junction Temperature  
T
J
OC  
T
Storage Temperature Range  
-65 to + 150  
STG  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( @ TA = 25oC unless otherwise noted )  
CHARACTERISTICS SYMBOL  
Reverse breakdown voltage (I =10µA)  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
V
V
50  
-
-
-
-
R
(BR)R  
Reverse voltage leakage current (V =40V)  
I
5.0  
µA  
R
R
(I =0.1mA)  
F
-
-
-
-
-
0.30  
0.38  
0.45  
0.60  
0.90  
(I =1mA)  
F
Forward voltage Pulse Tesx tp<300µs,δ<2% (I =10mA)  
V
F
F
-
V
(I =30mA)  
F
(I =100mA)  
F
Diode capacitance (V =1,f=1MHz)  
C
t
-
-
-
-
8.0  
4.0  
R
D
pF  
nS  
Reveres recovery time (I =I =10mA,RL=100Ω,I =1mA)  
rr  
F
R
R
2006-3  
1

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