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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DFN |
| 包装说明： | R-XBCC-N4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.60 | 风险等级： | 5.68 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最大二极管电容： | 0.6 pF | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | MIXER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| 频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY | JESD-30 代码： | R-XBCC-N4 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 0.1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 40 V |
| 最大反向电流： | 10 µA | 反向测试电压： | 40 V |
| 子类别： | Other Diodes | 表面贴装： | YES |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 肖特基势垒类型： | LOW BARRIER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAT62-07L4-E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Diode, |
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| BAT6207L4E6433XTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Diode, |
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| BAT62-07W | KEXIN |
获取价格 |
Silicon Schottky Diode |
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| BAT62-07W | TYSEMI |
获取价格 |
Low barrier diode for detectors up to GHz frequencies. |
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| BAT62-07W | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Schottky Diode (Low barrier diode for detectors up to GHz frequencies) |
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| BAT62-07W-E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Diode, |
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| BAT62-07W-E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Diode, |
|
| BAT62-07W-H6327 | INFINEON |
获取价格 |
Diode, |
|
| BAT6207WH6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Mixer Diode, |
|
| BAT62-08S | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Schottky Diode |
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