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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.68 |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最大二极管电容： | 0.6 pF | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | MIXER DIODE | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 4 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 最大功率耗散： | 0.1 W | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 肖特基势垒类型： | LOW BARRIER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAT62E6327HTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Mixer Diode, Low Barrier, Silicon, |
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| BAT62E6327XT | INFINEON |
获取价格 |
Mixer Diode, |
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| BAT62E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Mixer Diode, Low Barrier, Silicon, |
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| BAT62WS | SEMTECH |
获取价格 |
SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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| BAT63 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Schottky Diode (Low barrier diode for mixer and detectors up to GHz frequencies) |
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| BAT63-02V | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Schottky Diode |
|
| BAT63-02V-E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 3V V(RRM), |
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| BAT63-02V-E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 3V V(RRM), |
|
| BAT63-02V-H6327 | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 3V V(RRM), |
|
| BAT6302VH6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Mixer Diode, Low Barrier, Silicon, ROHS COMPLIANT, SC-79, 2 PIN |
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