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BAT62E6327

更新时间: 2024-11-13 19:23:31
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罗彻斯特 - ROCHESTER 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 757K
描述
SILICON, LOW BARRIER SCHOTTKY, MIXER DIODE

BAT62E6327 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.68
外壳连接:ANODE配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
最大二极管电容:0.6 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:MIXER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:NOT SPECIFIED
元件数量:2端子数量:4
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
最大功率耗散:0.1 W认证状态:COMMERCIAL
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:MATTE TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
肖特基势垒类型:LOW BARRIERBase Number Matches:1

BAT62E6327 数据手册

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