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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.60 |
| 风险等级： | 5.68 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最大二极管电容： | 0.6 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | MIXER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1 V | 频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散： | 0.1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 40 V | 最大反向电流： | 10 µA |
| 反向测试电压： | 40 V | 子类别： | Other Diodes |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 肖特基势垒类型： | LOW BARRIER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAT62-09S-E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Diode, |
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| BAT62-09S-E6433 | INFINEON |
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Diode, |
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| BAT62E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Mixer Diode, Low Barrier, Silicon |
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| BAT62E6327 | ROCHESTER |
获取价格 |
SILICON, LOW BARRIER SCHOTTKY, MIXER DIODE |
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| BAT62E6327HTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Mixer Diode, Low Barrier, Silicon, |
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| BAT62E6327XT | INFINEON |
获取价格 |
Mixer Diode, |
|
| BAT62E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Mixer Diode, Low Barrier, Silicon, |
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| BAT62WS | SEMTECH |
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SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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| BAT63 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Schottky Diode (Low barrier diode for mixer and detectors up to GHz frequencies) |
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| BAT63-02V | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Schottky Diode |
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