BAT63-07W

更新时间： 2024-02-21 07:42:47

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英飞凌 - INFINEON		肖特基二极管微波混频二极管测试光电二极管
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Silicon Schottky Diode

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BAT63-07W 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.60
风险等级：	5.81	其他特性：	HIGH SPEED
外壳连接：	CATHODE	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最大二极管电容：	0.85 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	MIXER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.3 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.1 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	3 V	最大反向电流：	10 µA
反向测试电压：	3 V	子类别：	Other Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	肖特基势垒类型：	LOW BARRIER
Base Number Matches：	1

BAT63-07W 数据手册

BAT63...

Silicon Schottky Diode

• Low barrier diode for detectors up to GHz

frequencies

• For high-speed applications

• Zero bias detector diode

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

BAT63-02V

BAT63-07W

ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!

Type

BAT63-02V

BAT63-07W

Package

SC79

SOT343

Configuration

single

parallel pair

L (nH) Marking

0.6

1.6

63s

Maximum Ratings at T = 25°C, unless otherwise specified

Parameter

Diode reverse voltage

Forward current

Symbol

Value

100

Unit

Total power dissipation

tot

T ≤ 120°C, BAT63-02V

100

150

T ≤ 114°C, BAT63-07W

°C

Junction temperature

Storage temperature

-55 ... 150

stg

¹Pb-containing package may be available upon special request

2009-03-11

12 3 4 5 6 7...9

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