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BAT64

更新时间： 2024-02-13 20:29:36

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科信 - KEXIN		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
1页	38K
描述
Silicon Schottky Diodes

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BAT64 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.43
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最大输出电流：	0.12 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

BAT64 数据手册

SMD Type

Diodes

Silicon Schottky Diodes

BAT64 series

SOT-23

Unit: mm

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

Features

For low-loss,fast-recovery, meter protection

bias isolation and clamping applications

Integrated diffused guard ring

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

1.9

-0.1

Low forward current

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute M axim um Ratings Ta = 25

Param eter

Diode reverse voltage

Sym bol

V^R

Max

Unit

Forward current

I^F

250

m A

m W

Average forward current (50/60Hz,sinus)

I^FAV

I^FSM

Ptot

120

800

Surge forward current (t

10 m s)

250

Total power dissipation Ts = 61

Junction tem perature

T^j

150

Storage tem perature

Tstg

-55 to +150

495

Junction am bient (Note 1)

Junction soldering point

Note

Rth JA

R^{th JS}

355

1. Package m ounted on epoxy pcb 40m m

40 m m m

1.5 m m /0.5cm ²Cu

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Reverse current

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

VR = 25 V,TA = 25

VR = 25 V,TA = 85

IF = 1 mA

200

350

430

520

750

320

385

440

570

I^F= 10 mA

Forward voltage

I^F= 30 mA

I^F= 100 mA

Diode capacitance

VR = 1 V,f = 1 MHz

Marking

Type

BAT64

63s

BAT64-04

64s

BAT64-05

65s

BAT64-06

66s

Marking

www.kexin.com.cn

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