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BAT62-08SE6327

更新时间: 2024-09-25 14:47:59
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英飞凌 - INFINEON 测试
页数 文件大小 规格书
19页 722K
描述
Diode,

BAT62-08SE6327 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.81Is Samacsys:N
最大正向电压 (VF):1 V最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C最大功率耗散:0.1 W
最大重复峰值反向电压:40 V最大反向电流:10 µA
反向测试电压:40 V子类别:Other Diodes
表面贴装:YESBase Number Matches:1

BAT62-08SE6327 数据手册

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BAT62...  
Silicon Schottky Diode  
Low barrier diode for detectors up to GHz  
frequencies  
BAT62  
BAT62-02L  
BAT62-02W  
BAT62-03W  
BAT62-07W  
BAT62-07L4  
BAT62-08S  
BAT62-09S  
6
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1
2
ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!  
Type  
Package  
SOT143  
TSLP-2-1  
SCD80  
SOD323  
TSLP-4-4  
SOT343  
SOT363  
SOT363  
Configuration  
anti-parallel pair  
single, leadless  
single  
single  
parallel pair, leadless  
parallel pair  
L (nH) Marking  
S
2
BAT62  
62s  
L
BAT62-02L*  
BAT62-02W  
BAT62-03W  
BAT62-07L4  
BAT62-07W  
BAT62-08S  
BAT62-09S*  
0.4  
0.6  
1.8  
0.4  
1.8  
1.6  
1.6  
62  
L
62  
62s  
62s  
69s  
parallel triple  
parallel pair, high isolation  
*Preliminary Data  
Apr-22-2004  
1

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