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BAS40-05HMFHT116

更新时间: 2024-11-24 14:49:07
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 1017K
描述
Rectifier Diode,

BAS40-05HMFHT116 技术参数

生命周期:Not Recommended包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:7.55
其他特性:HIGH RELIABILITY应用:GENERAL PURPOSE
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G3最大非重复峰值正向电流:0.6 A
元件数量:2相数:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.12 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
参考标准:AEC-Q101最大重复峰值反向电压:40 V
最大反向电流:10 µA反向测试电压:40 V
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

BAS40-05HMFHT116 数据手册

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Schottky Barrier Diode  
Datasheet  
BAS40-05HMFH  
AEC-Q101 Qualified  
Land Size Figure (Unit : mm)  
Application  
Dimensions (Unit : mm)  
Small current rectification  
Features  
1) Small mold type  
(SOT-23)  
Structure  
2) High reliability  
(3)  
(1) Anode  
(2) Anode  
ROHM : SSD3  
JEDEC : SOT-23  
JEITA : -  
Low VF  
3)  
(3) Cathode  
(1)  
(2)  
Construction  
Taping Dimensions (Unit : mm)  
Silicon epitaxial planar type  
T116  
Absolute Maximum Ratings (Ta= 25°C)  
Parameter  
Conditions  
Limits  
40  
Symbol  
VRM  
Unit  
V
Duty0.5  
Repetitive peak reverse voltage  
Reverse voltage  
VR  
IF  
Direct reverse voltage  
Direct current, per diode  
t 1s, Duty0.5, per diode  
40  
V
mA  
mA  
A
120  
120  
0.6  
Average forward rectified current  
Repetitive peak forward current  
Non-repetitive forward surge current  
IFRM  
IFSM  
Tj  
Square wave, tp<10ms,  
non-repetitive at Ta=25ºC, per diode  
-
-
150  
Operating junction temperature  
Storage temperature  
°C  
Tstg  
55 to 150 °C  
Electrical Characteristics (Tj= 25°C)  
Parameter  
Conditions  
IF=1mA  
Symbol  
VF1  
Min. Typ. Max. Unit  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.38  
0.50  
1
V
V
IF=10mA  
IF=40mA  
VR=30V  
VR=40V  
Forward voltage  
VF2  
VF3  
IR1  
V
1
A  
A  
Reverse current  
IR2  
10  
www.rohm.com  
© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2016.11 - Rev.B  
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