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BAS40-05-V-GS08

更新时间： 2024-09-16 06:41:27

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		信号二极管小信号肖特基二极管光电二极管 PC
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5页	156K
描述
Small Signal Schottky Diodes, Single & Dual

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BAS40-05-V-GS08 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.39
Samacsys Confidence：	3	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	184820	Samacsys Pin Count：	3
Samacsys Part Category：	Integrated Circuit	Samacsys Package Category：	SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：	SOT-23-ren6	Samacsys Released Date：	2015-05-24 21:47:42
Is Samacsys：	N	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.38 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	0.6 A
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	40 V	最大反向恢复时间：	0.005 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

BAS40-05-V-GS08 数据手册

BAS40-00-V to BAS40-06-V

Vishay Semiconductors

Small Signal Schottky Diodes, Single & Dual

Features

• These diodes feature very low turn-on

voltage and fast switching

• These devices are protected by a PN

junction guard ring against excessive volt-

age, such as electrostatic discharges

BAS40-00-V

BAS40-04-V

Top View

• Lead (Pb)-free component

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

BAS40-05-V

BAS40-06-V

18435

Mechanical Data

Case: SOT23, Plastic case

Weight: approx. 8.8 mg

Packaging Codes/Options:

GS18 / 10 k per 13" reel (8 mm tape), 10 k/box

GS08 / 3 k per 7" reel (8 mm tape), 15 k/box

Parts Table

Part

Ordering code

Type Marking

Remarks

BAS40-00-V

BAS40-04-V

BAS40-05-V

BAS40-06-V

BAS40-00-V-GS18 or BAS40-00-V-GS08

BAS40-04-V-GS18 or BAS40-04-V-GS08

BAS40-05-V-GS18 or BAS40-05-V-GS08

BAS40-06-V-GS18 or BAS40-06-V-GS08

Tape and Reel

Absolute Maximum Ratings

T_amb= 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Test condition

Symbol

Value

Unit

Repetitive peak reverse voltage

V_RRM= V_RWM= V_R

200¹⁾

600¹⁾

200¹⁾

Forward continuous current

I_F

Surge forward current

Power dissipation¹⁾

t_p< 1 s

I_FSM

P_tot

¹⁾Device on fiberglass substrate, see layout on next page.

Document Number 85701

Rev. 1.7, 27-Sep-06

www.vishay.com

12 3 4 5

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BAS40-05-V-GS08 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BAS40-05-V-GS18	VISHAY	完全替代	Small Signal Schottky Diodes, Single & Dual
BAS40-05-E3-18	VISHAY	功能相似	Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
BAS40-05-E3-08	VISHAY	功能相似	Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

与BAS40-05-V-GS08相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAS40-05-V-GS18	VISHAY	获取价格	Small Signal Schottky Diodes, Single & Dual
BAS40-05W	INFINEON	获取价格	Silicon Schottky Diode (General-purpose diodes for high-speed switching Circuit protection
BAS40-05W	SEMTECH	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
BAS40-05W	WTE	获取价格	General-purpose Schottky diodes
BAS40-05W	NXP	获取价格	Schottky barrier double diodes
BAS40-05W	NEXPERIA	获取价格	General-purpose dual Schottky diodeProduction
BAS40-05W	SWST	获取价格	肖特基二极管
BAS40-05W,115	ETC	获取价格	DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT323
BAS40-05W135	NXP	获取价格	0.12A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
BAS40-05W-AH	SWST	获取价格	肖特基二极管

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