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BAS40-04W

更新时间: 2024-10-31 22:48:11
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英飞凌 - INFINEON 整流二极管肖特基二极管开关电路保护光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
4页 145K
描述
Silicon Schottky Diode (General-purpose diodes for high-speed switching Circuit protection Voltage clamping)

BAS40-04W 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.62
Is Samacsys:N其他特性:HIGH SPEED SWITCH
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:0.2 A元件数量:2
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.12 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:40 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

BAS40-04W 数据手册

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BAS 40W  
Silicon Schottky Diode  
General-purpose diodes for  
high-speed switching  
Circuit protection  
Voltage clamping  
High-level detecting and mixing  
Type  
Ordering Code  
(tape and reel)  
Pin Configuration  
Marking Package1)  
1
2
3
BAS 40-04W  
BAS 40-05W  
BAS 40-06W  
Q62702-A1065  
Q62702-A1066  
Q62702-A1067  
A1  
A1  
C1  
C1  
A2  
C2  
C1/A2 44s  
C1/C2 45s  
A1/A2 46s  
SOT-323  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
V
Reverse voltage  
VR  
IF  
40  
Forward current  
120  
mA  
mA  
mW  
°C  
Surge forward current, t 10 ms  
Total power dissipation TS 106 °C  
Junction temperature  
IFSM  
Ptot  
Tj  
200  
250  
150  
Operating temperature range  
Storage temperature range  
Thermal Resistance  
Top  
Tstg  
– 55 … + 150  
– 55 … + 150  
°C  
°C  
Junction-ambient2)  
Rth JA  
Rth JS  
395  
175  
K/W  
K/W  
Junction-soldering point  
1) For detailed information see chapter Package Outlines.  
2) Package mounted on an epoxy pcb 40 mm x 40 mm x 1.5 mm/1 cm2 Cu.  
Semiconductor Group  
1
02.96  

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