BAS40-05

更新时间： 2024-10-31 22:48:11

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德欧泰克 - DIOTEC		整流二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	81K
描述
Surface mount Schottky-Barrier Single-/ Double-Diodes

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BAS40-05 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.01	Is Samacsys：	N
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.38 V
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.31 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	40 V	最大反向恢复时间：	0.005 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BAS40-05 数据手册

BAS40 ...-04 ...-05 ...-06

Schottky-Diodes

Surface mount Schottky-Barrier Single-/ Double-Diodes

Schottky-Barrier Einzel-/ Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage

Version 2004-04-09

Power dissipation – Verlustleistung

310 mW

40 V

2.9^±0.1

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

1.1

0.4

Type

Code

Plastic case

SOT-23

Kunststoffgehäuse

(TO-236)

1.9

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions / Maße in mm

Maximum ratings (T_A= 25/C)

Grenzwerte (T_A= 25/C)

BAS40-series

per diode / pro Diode

P_tot

Power dissipation – Verlustleistung

310 mW ¹)

Max. average forward current (dc)

Dauergrenzstrom

I_FAV

200 mA ¹)

300 mA ¹)

600 mA

40 V

Repetitive peak forward current

Periodischer Spitzenstrom

I_FRM

I_FSM

Peak forward surge current t_p# 1 s

Stoßstrom-Grenzwert

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

V_RRM

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

150/C

T_S

- 55…+ 150/C

Characteristics (T_j= 25/C)

Kennwerte (T_j= 25/C)

Forward voltage - Durchlaßspannung ²)

I_F= 1 mA

I_F= 10 mA

I_F= 40 mA

V_F

< 380 mV

< 500 mV

< 1000 mV

Leakage current - Sperrstrom ²)

V_R= 30 V

V_R= 40 V

I_R

< 200 nA

< 10 : A

)

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

Tested with pulses t_p= 300 : s, duty cycle # 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 : s, Schaltverhältnis # 2%

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BAS40-05 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BAS40-05,215	NXP	功能相似	BAS40 series; 1PSxxSB4x series - General-purpose Schottky diodes TO-236 3-Pin
BAS40-05-TP	MCC	功能相似	Surface Mount Schottky Barrier Diode 200 mWatt

与BAS40-05相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAS40-05(ES)	INFINEON	获取价格	General-purpose diodes for high-speedswitching
BAS40-05(P)	INFINEON	获取价格	General-purpose diode for high-speed switching
BAS40-05,215	NXP	获取价格	BAS40 series; 1PSxxSB4x series - General-purpose Schottky diodes TO-236 3-Pin
BAS40-05,235	NXP	获取价格	BAS40 series; 1PSxxSB4x series - General-purpose Schottky diodes TO-236 3-Pin
BAS40-05/DG/B2,215	ETC	获取价格	DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO236AB
BAS40-05/DG/B2,235	ETC	获取价格	DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO236AB
BAS40-05/E8	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, TO-236AB
BAS40-05/E9	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, TO-236AB
BAS40-05/T3	NXP	获取价格	0.12A, 40V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3
BAS40-05/T4	NXP	获取价格	0.12A, 40V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3

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