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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.33 |
| 其他特性： | LOW LEAKAGE CURRENT | 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最大输出电流： | 0.12 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 40 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子面层： | TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAS40-05/T4 | NXP |
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0.12A, 40V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3 |
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| BAS40-05-200MA-SOT-23 | DGNJDZ |
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SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes |
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| BAS40-05212 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.12 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| BAS40-05-7 | DIODES |
获取价格 |
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
|
| BAS40-05-7-F | DIODES |
获取价格 |
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
|
| BAS40-05-7-F | WTE |
获取价格 |
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
|
| BAS40-05B5000 | ROCHESTER |
获取价格 |
0.12 A, 40 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, SOT-23, 3-PIN |
|
| BAS40-05B5003 | INFINEON |
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Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.12A, 40V V(RRM), Silicon, SOT-23, 3-PIN |
|
| BAS40-05E | SWST |
获取价格 |
肖特基二极管 |
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| BAS40-05E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 |
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