BAS3010S-03LRH

更新时间： 2024-12-01 06:41:27

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英飞凌 - INFINEON		整流二极管肖特基二极管
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描述
Low VF Schottky Diode

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BAS3010S-03LRH 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DFN	包装说明：	R-PBCC-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.65	Is Samacsys：	N
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PBCC-N3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BAS3010S-03LRH 数据手册

BAS3010S...

Low VF Schottky Diode

• Forward current: 1 A

• Reverse voltage: 30 V

• Low forward voltage and smallest package

form factor (1.0 x 0.6 x < 0.4 mm) for

mobile phone battery charger application

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

BAS3010S-03LRH

Type

Package

Configuration

Marking

BAS3010S-03LRH*

TSLP-3-7

single

* Preliminary data

Maximum Ratings at T = 25°C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

Unit

Diode reverse voltage

2)3)

Forward current

Repetitive peak forward current

(t ≤ 1 ms, D ≤ 0.25)

3.5

FRM

Non-repetitive peak surge forward current

(t ≤ 10 ms)

FSM

150

°C

Junction temperature

Operating temperature range

-55 ... 125

-65 ... 150

Storage temperature

stg

Pb-containing package may be available upon special request

For T > 25°C the derating of V and I has to be considered.

Only valid if pin 1 and 2 are connected in parallel

2007-08-16

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