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BAS116GWJ

更新时间： 2024-02-24 10:41:06

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描述
DIODE GEN PURP 75V 215MA SOD123

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BAS116GWJ 数据手册

BAS116GW

Low leakage switching diode

5 April 2018

Product data sheet

1. General description

Low leakage switching diode, encapsulated in an SOD123 small Surface-Mounted Device (SMD)

plastic package.

2. Features and benefits

•

High switching speed: t_rr= 0.8 µs

•

Low leakage current: I_R= 3 pA

Repetitive peak reverse voltage V_RRM≤ 85 V

Low capacitance: C_d= 2 pF

Small SMD plastic package

AEC-Q101 qualified

3. Applications

•

Low-leakage current applications

General-purpose switching

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_RRM

repetitive peak reverse T_j= 25 °C

voltage

I_F

forward current

reverse voltage

forward voltage

t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.02; T_amb= 25 °C

215

V_R

V_F

T_j= 25 °C

I_F= 150 mA; t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.02;

T_j= 25 °C

1.25

I_R

t_rr

reverse current

V_R= 75 V; pulsed; T_j= 25 °C

0.003

0.8

µs

reverse recovery time I_F= 10 mA; I_R= 10 mA; R_L= 100 Ω;

I_R(meas)= 1 mA; T_j= 25 °C

12 3 4 5 6 7...11

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