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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | O-PEDB-N2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.74 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.1 V |
| JESD-30 代码： | O-PEDB-N2 | 最大非重复峰值正向电流： | 800 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最大输出电流： | 75 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 800 V |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | END |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAR7508D | DEC |
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75 AMP JUMBO DIODE CELL |
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| BAR7508S | DEC |
获取价格 |
75 AMP BUTTON DIODES |
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| BAR7510 | DEC |
获取价格 |
75 AMP BUTTON DIODES |
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| BAR7510D | DEC |
获取价格 |
75 AMP JUMBO DIODE CELL |
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| BAR7510S | DEC |
获取价格 |
75 AMP BUTTON DIODES |
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| BAR80 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon RF Switching Diode (Design for use in shunt configuration Hight shunt signal isola |
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| BAR80E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Mixer Diode, Silicon |
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| BAR80E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Mixer Diode, Silicon |
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| BAR81 | TYSEMI |
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Design for use in shunt configuration High shunt signal isolation Low shunt insertion loss |
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| BAR81 | INFINEON |
获取价格 |
Preliminary data Silicon RF Switching Diode (Design for use in shunt configuration High sh |
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