BAR81W

更新时间： 2024-11-08 22:39:23

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英飞凌 - INFINEON		PIN二极管开关射频开关测试光电二极管
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描述
Silicon RF Switching Diode Preliminary data (Design for use in shunt configuration High shunt signal isolation Low shunt insertion loss)

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BAR81W 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT
包装说明：	R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.22
Is Samacsys：	N	应用：	SWITCHING
最小击穿电压：	30 V	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	最大二极管电容：	1 pF
标称二极管电容：	0.6 pF	二极管元件材料：	SILICON
最大二极管正向电阻：	1 Ω	二极管类型：	PIN DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	少数载流子标称寿命：	0.08 µs
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.1 W	认证状态：	Not Qualified
反向测试电压：	1 V	子类别：	PIN Diodes
表面贴装：	YES	技术：	POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

BAR81W 数据手册

BAR 81W

Silicon RF Switching Diode

Preliminary data

• Design for use in shunt configuration

• High shunt signal isolation

• Low shunt insertion loss

VPS05605

Type

Marking Ordering Code Pin Configuration

BBs

Package

BAR 81W

Q62702-A1270 1 = A1 2 = C2 3 = A2 4 = C1 SOT-343

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Diode reverse voltage

Forward current

100

°C

100

Total power dissipation, T = 138 °C

tot

Junction temperature

150

Operating temperature range

Storage temperature

-55 ...+125

-55 ...+150

°C

stg

Thermal Resistance

Junction - ambient

K/W

≤ 200

≤ 120

thJA

thJS

Junction - soldering point

1) Package mounted on alumina 15mm x 16.7mm x 0.7mm

Semiconductor Group

Sep-04-1998

1998-11-01

Semiconductor Group

12 3 4

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