5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | O-PEDB-N2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.74 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.1 V | JESD-30 代码： | O-PEDB-N2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 800 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最大输出电流： | 75 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 1000 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAR80 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon RF Switching Diode (Design for use in shunt configuration Hight shunt signal isola |
|
| BAR80E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Mixer Diode, Silicon |
|
| BAR80E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Mixer Diode, Silicon |
|
| BAR81 | TYSEMI |
获取价格 |
Design for use in shunt configuration High shunt signal isolation Low shunt insertion loss |
|
| BAR81 | INFINEON |
获取价格 |
Preliminary data Silicon RF Switching Diode (Design for use in shunt configuration High sh |
|
| BAR81 | KEXIN |
获取价格 |
Silicon RF Switching Diode |
|
| BAR81_07 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon RF Switching Diode |
|
| BAR81W | INFINEON |
获取价格 |
Silicon RF Switching Diode Preliminary data (Design for use in shunt configuration High sh |
|
| BAR81W | KEXIN |
获取价格 |
Silicon RF Switching Diode |
|
| BAR81W | TYSEMI |
获取价格 |
Design for use in shunt configuration High shunt signal isolation Low shunt insertion loss |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
