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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | O-PEDB-N2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.74 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.1 V | JESD-30 代码： | O-PEDB-N2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 800 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最大输出电流： | 75 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 1000 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BAR80 | INFINEON | Silicon RF Switching Diode (Design for use in shunt configuration Hight shunt signal isola |
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| BAR80E6327 | INFINEON | Mixer Diode, Silicon |
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| BAR80E6433 | INFINEON | Mixer Diode, Silicon |
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| BAR81 | TYSEMI | Design for use in shunt configuration High shunt signal isolation Low shunt insertion loss |
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| BAR81 | INFINEON | Preliminary data Silicon RF Switching Diode (Design for use in shunt configuration High sh |
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| BAR81_07 | INFINEON | Silicon RF Switching Diode |
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