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AT68166HT-YS18-E

更新时间： 2024-02-27 17:14:36

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爱特美尔 - ATMEL		静态存储器
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15页	340K
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Rad Hard 16 MegaBit 3.3V 5V Tolerant SRAM Multi-Chip Module

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AT68166HT-YS18-E 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	QFP-68	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.55	最长访问时间：	18 ns
其他特性：	LG-MIN;WD-MIN	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-PQFP-F68	长度：	24.14 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端子数量：	68	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	512KX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	GQFF
封装等效代码：	TPAK68,2.5SQ	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLATPACK, GUARD RING	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-STD-883	座面最大高度：	4.7 mm
最大待机电流：	0.005 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	FLAT	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	宽度：	24.14 mm
Base Number Matches：	1

AT68166HT-YS18-E 数据手册

Features

• 16 Mbit SRAM Multi Chip Module

• Allows 32-, 16- or 8-bit access configuration

• Operating Voltage: 3.3V + 0.3V, 5V Tolerant

• Access Time:

– 25 ns

– 20 ns

– 18 ns (preliminary information)

• Very Low Power Consumption

– Active: 595 mW per byte (Max) @ 20 ns⁽¹⁾, 415mW per byte (Max) @ 50ns⁽²⁾

– Standby: 15 mW (Typ)

• Military Temperature Range: -55 to +125°C

• TTL-Compatible Inputs and Outputs

• Asynchronous

• Die manufactured on Atmel 0.25 µm Radiation Hardened Process

• No Single Event Latch Up below LET Threshold of 80 MeV/mg/cm²@125°C

• Tested up to a Total Dose of 300 krads (Si) according to MIL-STD-883 Method 1019

• ESD better than 2000V

Rad Hard

16 MegaBit 3.3V

5V Tolerant

SRAM Multi-

Chip Module

• Quality Grades:

– QML-Q or V

– ESCC

• 950 Mils Wide MQFPT68 Package

• Mass : 8.5 grams

AT68166HT

Notes: 1. For AT68166HT-20 only. 540mW for AT68166HT-25.

2. For AT68166HT-20 only. 450mW for AT68166HT-25.

Description

The AT68166HT is a 16Mbit SRAM packaged in a hermetic Multi Chip Module (MCM)

for space applications.

The AT68166HT MCM incorporates four 4Mbit AT60142HT SRAM dice. It can be

organized as either one bank of 512Kx8, two banks of 512Kx16 or four banks of

512Kx8. It combines rad-hard capabilities, a latch-up threshold of 80MeV.cm²/mg, a

Multiple Bit Upset immunity and a total dose tolerance of 300Krads, with a fast access

time.

The MCM packaging technology allows a reduction of the PCB area by 50% with a

weight savings of 75% compared to four 4Mbit packages.

Thanks to the small size of the 4Mbit SRAM die, Atmel has been able to accommo-

date the assembly of the four dice on one side of the package which facilitates the

power dissipation.

The compatibility with other products allows designers to easily migrate to the Atmel

AT68166HT memory.

The AT68166HT is powered at 3.3V and is 5V tolerant.

The AT68166HT is processed according to the test methods of the latest revision of

the MIL-PRF-38535 or the ESCC 9000.

7843A–AERO–10/09

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