Datasheet > AT68166H-YM20-E

AT68166H-YM20-E

更新时间： 2024-11-27 06:38:23

品牌	Logo	应用领域
爱特美尔 - ATMEL		静态存储器
页数	文件大小	规格书
15页	338K
描述
Rad Hard 16 MegaBit 3.3V SRAM Multi-Chip Module

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

AT68166H-YM20-E 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	HGQFF,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.66
最长访问时间：	20 ns	其他特性：	ALSO DATA WIDTH CAN BE ORGANISED AS 8 BIT
备用内存宽度：	16	JESD-30 代码：	S-CQFP-F68
长度：	24.14 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端子数量：	68
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	组织：	512KX32
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	HGQFF
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLATPACK, HEAT SINK/SLUG, GUARD RING
并行/串行：	PARALLEL	座面最大高度：	4.7 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	端子形式：	FLAT
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
宽度：	24.14 mm	Base Number Matches：	1

AT68166H-YM20-E 数据手册

Features

• 16 Mbit SRAM Multi Chip Module

• Allows 32-, 16- or 8-bit access configuration

• Operating Voltage: 3.3V + 0.3V

• Access Time

– 20 ns

– 18 ns

• Power Consumption

– Active: 620 mW per byte (Max) @ 18ns - 415 mW per byte (Max) @ 50ns ⁽¹⁾

– Standby: 13 mW (Typ)

• Military Temperature Range: -55 to +125°C

• TTL-Compatible Inputs and Outputs

• Asynchronous

Rad Hard

16 MegaBit 3.3V

SRAM Multi-

Chip Module

• Die manufactured on Atmel 0.25 µm Radiation Hardened Process

• No Single Event Latch Up below LET Threshold of 80 MeV/mg/cm²@125°C

• Tested up to a Total Dose of 300 krads (Si) according to MIL-STD-883 Method 1019

• ESD better than 4000V

• Quality Grades:

– QML-Q or V

– ESCC

• 950 Mils Wide MQFPT68 Package

• Mass : 8.5 grams

AT68166H

Note:

1. Only for AT68166H-18. 450mW for AT68166H-20.

Description

The AT68166H is a 16Mbit SRAM packaged in a hermetic Multi Chip Module

(MCM) for space applications.

The AT68166H MCM incorporates four 4Mbit AT60142H SRAM dice. It can be orga-

nized as either one bank of 512Kx8, two banks of 512Kx16 or four banks of 512Kx8. It

combines rad-hard capabilities, a latch-up threshold of 80MeV.cm²/mg, a Multiple Bit

Upset immunity and a total dose tolerance of 300Krads, with a fast access time.

The MCM packaging technology allows a reduction of the PCB area by 50% with a

weight savings of 75% compared to four 4Mbit packages.

Thanks to the small size of the 4Mbit SRAM die, Atmel has been able to accommo-

date the assembly of the four dice on one side of the package which facilitates the

power dissipation.

The compatibility with other products allows designers to easily migrate to the Atmel

AT68166H memory.

The AT68166H is powered at 3.3V.

The AT68166H is processed according to the test methods of the latest revision of the

MIL-PRF-38535 or the ESCC 9000.

7842A–AERO–10/09

12 3 4 5 6 7...15

中文翻译

下载PDF

与AT68166H-YM20-E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AT68166H-YM20MQ	ATMEL	获取价格	Rad Hard 16 MegaBit 3.3V SRAM Multi-Chip Module
AT68166H-YM20-SCC	ATMEL	获取价格	Rad Hard 16 MegaBit 3.3V SRAM Multi-Chip Module
AT68166H-YM20SR	ATMEL	获取价格	Rad Hard 16 MegaBit 3.3V SRAM Multi-Chip Module
AT68166H-YM20SV	ATMEL	获取价格	Rad Hard 16 MegaBit 3.3V SRAM Multi-Chip Module
AT68166H-YS18-E	ATMEL	获取价格	Rad Hard 16 MegaBit 3.3V SRAM Multi-Chip Module
AT68166H-YS18MQ	ATMEL	获取价格	Rad Hard 16 MegaBit 3.3V SRAM Multi-Chip Module
AT68166H-YS18-SCC	ATMEL	获取价格	Rad Hard 16 MegaBit 3.3V SRAM Multi-Chip Module
AT68166H-YS18SR	ATMEL	获取价格	Rad Hard 16 MegaBit 3.3V SRAM Multi-Chip Module
AT68166H-YS18SV	ATMEL	获取价格	Rad Hard 16 MegaBit 3.3V SRAM Multi-Chip Module
AT681S60	POSEICO	获取价格	PHASE CONTROL THYRISTOR

与AT68166H-YM20-E相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

47
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

35
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

64
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

61

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

AT68166H-YM20-E

AT68166H-YM20-E 技术参数

AT68166H-YM20-E 数据手册

与AT68166H-YM20-E相关器件

与AT68166H-YM20-E相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

AT68166H-YM20-E

AT68166H-YM20-E 技术参数

AT68166H-YM20-E 数据手册

与AT68166H-YM20-E相关器件

与AT68166H-YM20-E相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？