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AT68166H-YM20MQ

更新时间： 2024-02-27 21:34:44

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爱特美尔 - ATMEL		静态存储器
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描述
Rad Hard 16 MegaBit 3.3V SRAM Multi-Chip Module

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AT68166H-YM20MQ 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	HGQFF,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.66
最长访问时间：	20 ns	其他特性：	ALSO DATA WIDTH CAN BE ORGANISED AS 8 BIT
备用内存宽度：	16	JESD-30 代码：	S-CQFP-F68
长度：	24.14 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端子数量：	68
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	组织：	512KX32
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	HGQFF
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLATPACK, HEAT SINK/SLUG, GUARD RING
并行/串行：	PARALLEL	座面最大高度：	4.7 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	端子形式：	FLAT
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
宽度：	24.14 mm	Base Number Matches：	1

AT68166H-YM20MQ 数据手册

Features

• 16 Mbit SRAM Multi Chip Module

• Allows 32-, 16- or 8-bit access configuration

• Operating Voltage: 3.3V + 0.3V

• Access Time

– 20 ns

– 18 ns

• Power Consumption

– Active: 620 mW per byte (Max) @ 18ns - 415 mW per byte (Max) @ 50ns ⁽¹⁾

– Standby: 13 mW (Typ)

• Military Temperature Range: -55 to +125°C

• TTL-Compatible Inputs and Outputs

• Asynchronous

Rad Hard

16 MegaBit 3.3V

SRAM Multi-

Chip Module

• Die manufactured on Atmel 0.25 µm Radiation Hardened Process

• No Single Event Latch Up below LET Threshold of 80 MeV/mg/cm²@125°C

• Tested up to a Total Dose of 300 krads (Si) according to MIL-STD-883 Method 1019

• ESD better than 4000V

• Quality Grades:

– QML-Q or V

– ESCC

• 950 Mils Wide MQFPT68 Package

• Mass : 8.5 grams

AT68166H

Note:

1. Only for AT68166H-18. 450mW for AT68166H-20.

Description

The AT68166H is a 16Mbit SRAM packaged in a hermetic Multi Chip Module

(MCM) for space applications.

The AT68166H MCM incorporates four 4Mbit AT60142H SRAM dice. It can be orga-

nized as either one bank of 512Kx8, two banks of 512Kx16 or four banks of 512Kx8. It

combines rad-hard capabilities, a latch-up threshold of 80MeV.cm²/mg, a Multiple Bit

Upset immunity and a total dose tolerance of 300Krads, with a fast access time.

The MCM packaging technology allows a reduction of the PCB area by 50% with a

weight savings of 75% compared to four 4Mbit packages.

Thanks to the small size of the 4Mbit SRAM die, Atmel has been able to accommo-

date the assembly of the four dice on one side of the package which facilitates the

power dissipation.

The compatibility with other products allows designers to easily migrate to the Atmel

AT68166H memory.

The AT68166H is powered at 3.3V.

The AT68166H is processed according to the test methods of the latest revision of the

MIL-PRF-38535 or the ESCC 9000.

7842A–AERO–10/09

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