生命周期: | Active | 包装说明: | DFP, FL18,.3 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
风险等级: | 5.7 | 最大时钟频率 (fCLK): | 0.4 MHz |
命令用户界面: | NO | 数据轮询: | NO |
数据保留时间-最小值: | 10 | 耐久性: | 50000 Write/Erase Cycles |
I2C控制字节: | 1010D11R | JESD-30 代码: | R-XDFP-F18 |
长度: | 12.45 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 1 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 18 | 字数: | 4194304 words |
字数代码: | 4000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 4MX1 | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DFP | 封装等效代码: | FL18,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK |
并行/串行: | SERIAL | 反向引出线: | NO |
筛选级别: | MIL-PRF-38535 Class V | 座面最大高度: | 2.92 mm |
串行总线类型: | I2C | 最大待机电流: | 0.015 A |
最大压摆率: | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | AUTOMOTIVE | 端子形式: | FLAT |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
切换位: | NO | 总剂量: | 20k Rad(Si) V |
宽度: | 7.11 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 68 ms |
写保护: | SOFTWARE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AT69170E-DT-E | MICROCHIP |
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Field Programmable Gate Array |
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AT69170E-DT-E | ATMEL |
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Field Programmable Gate Array, |
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AT69170E-DT-MQ | ATMEL |
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Field Programmable Gate Array, |
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AT69170E-DT-MQ | MICROCHIP |
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Field Programmable Gate Array |
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AT69170E-DT-SV | MICROCHIP |
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Field Programmable Gate Array |
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AT69170E-DT-SV | ATMEL |
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Field Programmable Gate Array, |
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AT69170E-DX-E | ATMEL |
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Space FPGA Configuration Memory |
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AT69170E-DX-ESCC | ATMEL |
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Space FPGA Configuration Memory |
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AT69170E-DX-MQ | ATMEL |
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Space FPGA Configuration Memory |
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AT69170E-DX-SV | ATMEL |
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Space FPGA Configuration Memory |
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