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AT704S16

更新时间： 2024-02-22 03:03:21
品牌 Logo 应用领域
POSEICO /
页数 文件大小 规格书
4页 47K
描述
PHASE CONTROL THYRISTOR

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AT704S16 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.75
关态电压最小值的临界上升速率：300 V/us最大直流栅极触发电流：200 mA
最大直流栅极触发电压：3.5 V最大漏电流：50 mA
通态非重复峰值电流：7100 A最大通态电压：1.6 V
最大通态电流：600000 A最高工作温度：125 °C
断态重复峰值电压：1600 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

AT704S16 数据手册

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Via N. Lorenzi 8 - I 16152 GENOVA - ITALY  
Tel. int. +39/(0)10 6556549 - (0)10 6556488  
Fax Int. +39/(0)10 6442510  
Ansaldo Trasporti s.p.a.  
Unita' Semiconduttori  
ANSALDO  
Tx 270318 ANSUSE I -  
PHASE CONTROL THYRISTOR AT704  
Repetitive voltage up to  
Mean on-state current  
1600 V  
640 A  
8 kA  
Surge current  
FINAL SPECIFICATION  
Feb 97 - ISSUE : 04  
Tj  
[°C]  
Symbol  
Characteristic  
Conditions  
Value  
Unit  
BLOCKING  
V RRM  
V RSM  
V DRM  
I RRM  
I DRM  
Repetitive peak reverse voltage  
Non-repetitive peak reverse voltage  
Repetitive peak off-state voltage  
Repetitive peak reverse current  
Repetitive peak off-state current  
125 1600  
125 1700  
125 1600  
V
V
V
V=VRRM  
V=VDRM  
125  
125  
50  
50  
mA  
mA  
CONDUCTING  
I T (AV)  
I T (AV)  
I TSM  
I² t  
Mean on-state current  
Mean on-state current  
Surge on-state current  
I² t  
180° sin, 50 Hz, Th=55°C, double side cooled  
180° sin, 50 Hz, Tc=85°C, double side cooled  
sine wave, 10 ms  
640  
515  
A
A
125  
8
kA  
without reverse voltage  
320 x1E3  
1.58  
0.86  
A²s  
V
V T  
On-state voltage  
On-state current = 1000 A  
25  
V T(TO)  
r T  
Threshold voltage  
On-state slope resistance  
125  
V
125 0.790  
mohm  
SWITCHING  
di/dt  
dv/dt  
td  
Critical rate of rise of on-state current, min. From 75% VDRM up to 720 A, gate 10V 5ohm  
Critical rate of rise of off-state voltage, min. Linear ramp up to 70% of VDRM  
125  
125  
25  
200  
500  
1.3  
A/µs  
V/µs  
µs  
Gate controlled delay time, typical  
Circuit commutated turn-off time, typical  
Reverse recovery charge  
VD=100V, gate source 10V, 10 ohm , tr=.5 µs  
dV/dt = 20 V/µs linear up to 75% VDRM  
di/dt=-20 A/µs, I= 470 A  
tq  
250  
µs  
Q rr  
I rr  
I H  
125  
µC  
A
Peak reverse recovery current  
Holding current, typical  
VR= 50 V  
VD=5V, gate open circuit  
VD=5V, tp=30µs  
25  
25  
300  
700  
mA  
mA  
I L  
Latching current, typical  
GATE  
V GT  
Gate trigger voltage  
VD=5V  
25  
25  
3.5  
200  
0.25  
30  
V
mA  
V
I GT  
Gate trigger current  
VD=5V  
V GD  
V FGM  
Non-trigger gate voltage, min.  
Peak gate voltage (forward)  
Peak gate current  
VD=VDRM  
125  
V
I
FGM  
10  
A
V RGM  
P GM  
P G  
Peak gate voltage (reverse)  
Peak gate power dissipation  
Average gate power dissipation  
5
V
Pulse width 100 µs  
150  
2
W
W
MOUNTING  
R th(j-h)  
Thermal impedance, DC  
Thermal impedance  
Junction to heatsink, double side cooled  
Case to heatsink, double side cooled  
52  
10  
°C/kW  
°C/kW  
R th(c-h)  
T j  
F
Operating junction temperature  
Mounting force  
-30 / 125  
8.4 / 9.4  
280  
°C  
kN  
g
Mass  
ORDERING INFORMATION : AT704 S 16  
VDRM&VRRM/100  
standard specification  
1234

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