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AT69170E-DT-SV

更新时间： 2024-01-24 13:37:04

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美国微芯 - MICROCHIP		时钟栅内存集成电路
页数	文件大小	规格书
40页	547K
描述
Field Programmable Gate Array

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AT69170E-DT-SV 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	DFP, FL18,.28
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.78
其他特性：	LG-MAX	最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz
数据保留时间-最小值：	10	耐久性：	50000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节：	1010D11R	JESD-30 代码：	R-XDFP-F18
长度：	12.45 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	CONFIGURATION MEMORY	内存宽度：	1
功能数量：	1	端子数量：	18
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	4MX1
输出特性：	OPEN-DRAIN	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DFP	封装等效代码：	FL18,.28
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	SERIAL	反向引出线：	NO
筛选级别：	MIL-PRF-38535 Class V	座面最大高度：	2.92 mm
串行总线类型：	2-WIRE	最大待机电流：	0.02 A
最大压摆率：	0.02 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	FLAT
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
总剂量：	30k Rad(Si) V	类型：	NOR TYPE
宽度：	7.11 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	68 ms
写保护：	SOFTWARE	Base Number Matches：	1

AT69170E-DT-SV 数据手册

AT69170E

Space FPGA Configuration Memory

DATASHEET

See Applicable Errata in Section 13.

Features

● 4 Mbits On-Chip Flash Array

● Memory Designed to Store Configuration Programs for Field Programmable Gate

Arrays (FPGAs)

● In-System Programming (ISP) via Two-Wire Bus

● Simple Interface to SRAM FPGAs

● Compatible with AT40K devices

● Cascadable Read-Back to Support Additional Configurations or Higher-Density

Arrays

● Memory Write Protection

● Programmable Reset Polarity

● Low-power Rad-Hard non volatile 0.18µm CMOS process

● Operating range:

● Voltage : 3V to 3.6V

● Temperature : -55 to +125°C

● Operating power consumption : 72 mW max

● High-Reliability

● Endurance: 50,000 write cycles (in page mode)

● Data retention: 10 Years @ 125°C

● Radiation Tolerance

● Tested up to a Total Dose of 60 krad (Si)

● RHA capability of 30 krad (Si) according to MIL STD 883 Method 1019

● Quality Grades :

● QML-V or Q

● Package : 305 Mils FP18

● Mass : 1 g

7752F–AERO–11/13

12 3 4 5 6 7...40

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