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AT28C010-15TU

更新时间： 2024-11-12 20:33:15

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	372K
描述
IC EEPROM 1MBIT 150NS 32TSOP

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AT28C010-15TU 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	TSOP1, TSSOP32,.8,20
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	10 weeks
风险等级：	2.1	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	150 ns	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	耐久性：	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e3
长度：	18.4 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP32,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小：	128 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.0002 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
宽度：	8 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

AT28C010-15TU 数据手册

Features

• Fast Read Access Time – 120 ns

• Automatic Page Write Operation

– Internal Address and Data Latches for 128 Bytes

– Internal Control Timer

• Fast Write Cycle Time

– Page Write Cycle Time – 10 ms Maximum

– 1 to 128-byte Page Write Operation

• Low Power Dissipation

1-megabit

(128K x 8)

Paged Parallel

EEPROM

– 40 mA Active Current

– 200 µA CMOS Standby Current

• Hardware and Software Data Protection

• DATA Polling for End of Write Detection

• High Reliability CMOS Technology

– Endurance: 10⁴or 10⁵Cycles

– Data Retention: 10 Years

• Single 5V 10% Supply

• CMOS and TTL Compatible Inputs and Outputs

• JEDEC Approved Byte-wide Pinout

• Industrial Temperature Ranges

• Green (Pb/Halide-free) Packaging Option Only

AT28C010

1. Description

The AT28C010 is a high-performance electrically-erasable and programmable read-

only memory. Its 1 megabit of memory is organized as 131,072 words by 8 bits. Man-

ufactured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology, the device offers

access times to 120 ns with power dissipation of just 220 mW. When the device is

deselected, the CMOS standby current is less than 200 µA.

The AT28C010 is accessed like a Static RAM for the read or write cycle without the

need for external components. The device contains a 128-byte page register to allow

writing of up to 128 bytes simultaneously. During a write cycle, the address and 1 to

128 bytes of data are internally latched, freeing the address and data bus for other

operations. Following the initiation of a write cycle, the device will automatically write

the latched data using an internal control timer. The end of a write cycle can be

detected by DATA polling of I/O7. Once the end of a write cycle has been detected a

new access for a read or write can begin.

Atmel’s AT28C010 has additional features to ensure high quality and manufacturabil-

ity. The device utilizes internal error correction for extended endurance and improved

data retention characteristics. An optional software data protection mechanism is

available to guard against inadvertent writes. The device also includes an extra

128 bytes of EEPROM for device identification or tracking.

0353I–PEEPR–08/09

12 3 4 5 6 7...16

中文翻译

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AT28C010-15TU 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
AT28C010-15EM/883	ATMEL	类似代替	1 Megabit 128K x 8 Paged CMOS E2PROM
X28C010DI-15	INTERSIL	类似代替	5 Volt, Byte Alterable EEPROM

与AT28C010-15TU相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AT28C010-15TU-T	MICROCHIP	获取价格	EEPROM, 128KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PDSO32
AT28C010-15UC	ETC	获取价格	x8 EEPROM
AT28C010-15UI	ATMEL	获取价格	EEPROM, 128KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CPGA30, CERAMIC, PGA-30
AT28C010-15UM	ETC	获取价格	x8 EEPROM
AT28C010-15UM/883	ATMEL	获取价格	1 Megabit 128K x 8 Paged CMOS E2PROM
AT28C010-15VC	ETC	获取价格	x8 EEPROM
AT28C010-15VI	ATMEL	获取价格	EEPROM, 128KX8, 150ns, Parallel, CMOS, 0.356 X 0.429 INCH, DIE-34
AT28C010-15VM	ATMEL	获取价格	EEPROM, 128KX8, 150ns, Parallel, CMOS, 0.356 X 0.429 INCH, DIE-34
AT28C010-20	ATMEL	获取价格	1 Megabit 128K x 8 Paged CMOS E2PROM
AT28C010-20BC	ETC	获取价格	x8 EEPROM

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