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| 生命周期： | Active | 包装说明： | DIP-32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.39 |
| 最长访问时间： | 200 ns | 数据轮询： | YES |
| 数据保留时间-最小值： | 10 | 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-CDIP-T32 | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 128KX8 | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP32(UNSPEC) |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 页面大小： | 128 words | 并行/串行： | PARALLEL |
| 反向引出线： | NO | 最大待机电流： | 0.0003 A |
| 最大压摆率： | 0.08 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL | 切换位： | YES |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 10 ms | 写保护： | HARDWARE/SOFTWARE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AT28C010-20BM | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
|
| AT28C010-20BM/883 | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
|
| AT28C010-20BM/883E | MICROCHIP |
获取价格 |
Memory IC, |
|
| AT28C010-20BME | MICROCHIP |
获取价格 |
Memory IC |
|
| AT28C010-20DM/883 | ATMEL |
获取价格 |
1 Megabit 128K x 8 Paged CMOS E2PROM |
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| AT28C010-20DM/883 | MICROCHIP |
获取价格 |
EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP32 |
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| AT28C010-20EM/883 | ATMEL |
获取价格 |
1 Megabit 128K x 8 Paged CMOS E2PROM |
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| AT28C010-20EM/883 | MICROCHIP |
获取价格 |
IC EEPROM 1MBIT 200NS 32CLCC |
|
| AT28C010-20FC | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDFP32, BOTTOM BRAZED, CERAMIC, FP-32 |
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| AT28C010-20FI | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
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