是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | LCC |
包装说明: | QCCN, LCC44,.65SQ | 针数: | 44 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.57 |
最长访问时间: | 200 ns | 其他特性: | AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION: 10 YEARS |
命令用户界面: | NO | 数据轮询: | YES |
数据保留时间-最小值: | 10 | 耐久性: | 10000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | S-CQCC-N44 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 16.55 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 44 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 128KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | QCCN | 封装等效代码: | LCC44,.65SQ |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | CHIP CARRIER |
页面大小: | 128 words | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-STD-883 | 座面最大高度: | 2.74 mm |
最大待机电流: | 0.0003 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.08 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | YES | 宽度: | 16.55 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AT28C010-20LM/883E | MICROCHIP |
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Memory IC | |
AT28C010-20LME | ATMEL |
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Memory IC | |
AT28C010-20PC | ATMEL |
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1 Megabit 128K x 8 Paged CMOS E2PROM | |
AT28C010-20PI | ATMEL |
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1 Megabit 128K x 8 Paged CMOS E2PROM | |
AT28C010-20TC | ATMEL |
获取价格 |
1 Megabit 128K x 8 Paged CMOS E2PROM | |
AT28C010-20TCT/R | ATMEL |
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EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDSO32, PLASTIC, TSOP-32 | |
AT28C010-20TI | ATMEL |
获取价格 |
1 Megabit 128K x 8 Paged CMOS E2PROM | |
AT28C010-20TIT/R | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDSO32, PLASTIC, TSOP-32 | |
AT28C010-20UC | ETC |
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x8 EEPROM | |
AT28C010-20UI | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |