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AT28C010-20EM/883

更新时间: 2024-11-02 20:27:19
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美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 435K
描述
IC EEPROM 1MBIT 200NS 32CLCC

AT28C010-20EM/883 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:QCCN, LCC32,.45X.55
Reach Compliance Code:compliantFactory Lead Time:14 weeks
风险等级:5.7最长访问时间:200 ns
其他特性:AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION: 10 YEARS命令用户界面:NO
数据轮询:YES数据保留时间-最小值:10
耐久性:10000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-CQCC-N32
JESD-609代码:e0长度:13.97 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:128KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC32,.45X.55封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER页面大小:128 words
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):240
电源:5 V编程电压:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:MIL-STD-883
座面最大高度:2.54 mm最大待机电流:0.0003 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.08 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:30切换位:YES
宽度:11.43 mm最长写入周期时间 (tWC):10 ms
Base Number Matches:1

AT28C010-20EM/883 数据手册

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Features  
Fast Read Access Time - 120 ns  
Automatic Page Write Operation  
– Internal Address and Data Latches for 128-Bytes  
– Internal Control Timer  
Fast Write Cycle Time  
AT28C010 Mil  
– Page Write Cycle Time - 10 ms Maximum  
– 1 to 128-Byte Page Write Operation  
Low Power Dissipation  
– 80 mA Active Current  
1-Megabit  
(128K x 8)  
Paged Parallel  
EEPROMs  
– 300µA CMOS Standby Current  
Hardware and Software Data Protection  
DATA Polling for End of Write Detection  
High Reliability CMOS Technology  
– Endurance: 104 or 105 Cycles  
– Data Retention: 10 Years  
Single 5V 10% Supply  
CMOS and TTL Compatible Inputs and Outputs  
JEDEC Approved Byte-Wide Pinout  
AT28C010  
Military  
(continued)  
Pin Configuration  
32 LCC  
Top View  
Pin Name  
A0 - A16  
CE  
Function  
Addresses  
Chip Enable  
Output Enable  
Write Enable  
Data Inputs/Outputs  
No Connect  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2 10  
A1 11  
A0 12  
I/O0 13  
5
6
7
8
9
29 A14  
28 A13  
27 A8  
26 A9  
25 A11  
24 OE  
23 A10  
22 CE  
21 I/O7  
OE  
WE  
I/O0 - I/O7  
NC  
CERDIP, FLATPACK  
Top View  
44 LCC  
Top View  
NC  
A16  
A15  
A12  
A7  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
32 VCC  
31 WE  
30 NC  
29 A14  
28 A13  
27 A8  
PGA  
Top View  
A12  
A7  
7
8
9
39 A13  
38 A8  
37 A9  
36 A11  
35 NC  
34 NC  
33 NC  
32 NC  
31 OE  
30 A10  
29 CE  
A6  
A6  
A5 10  
NC 11  
NC 12  
NC 13  
A4 14  
A3 15  
A2 16  
A1 17  
A5  
26 A9  
A4  
25 A11  
24 OE  
23 A10  
22 CE  
21 I/O7  
20 I/O6  
19 I/O5  
18 I/O4  
17 I/O3  
A3  
A2 10  
A1 11  
A0 12  
I/O0 13  
I/O1 14  
I/O2 15  
GND 16  
Atmel-0010I-PEEPR-AT28C010-Datasheet_062015  

AT28C010-20EM/883 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AT28C010-20DM/883 ATMEL

类似代替

1 Megabit 128K x 8 Paged CMOS E2PROM
X28C010RI-20T1 INTERSIL

类似代替

5 Volt, Byte Alterable EEPROM
X28C010RI-20 INTERSIL

类似代替

5 Volt, Byte Alterable EEPROM

与AT28C010-20EM/883相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AT28C010-20FC ATMEL

获取价格

EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDFP32, BOTTOM BRAZED, CERAMIC, FP-32
AT28C010-20FI ETC

获取价格

x8 EEPROM
AT28C010-20FM ATMEL

获取价格

EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDFP32, BOTTOM BRAZED, CERAMIC, FP-32
AT28C010-20FM/883 ATMEL

获取价格

1 Megabit 128K x 8 Paged CMOS E2PROM
AT28C010-20FM/883 MICROCHIP

获取价格

IC EEPROM 1MBIT 200NS 32FLATPACK
AT28C010-20JC ATMEL

获取价格

1 Megabit 128K x 8 Paged CMOS E2PROM
AT28C010-20JCT/R ATMEL

获取价格

EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
AT28C010-20JI ATMEL

获取价格

1 Megabit 128K x 8 Paged CMOS E2PROM
AT28C010-20JIT/R ATMEL

获取价格

EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
AT28C010-20LC ETC

获取价格

x8 EEPROM