是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | PGA |
包装说明: | PGA, PGA30,5X6 | 针数: | 30 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.51 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 150 ns |
其他特性: | AUTOMATIC WRITE; PAGE WRITE | 命令用户界面: | NO |
数据轮询: | YES | 耐久性: | 10000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-CPGA-P30 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 16.5 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 30 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 128KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | PGA | 封装等效代码: | PGA30,5X6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY |
页面大小: | 128 words | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.4 mm | 最大待机电流: | 0.0003 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.08 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | PIN/PEG |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | PERPENDICULAR |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | YES |
宽度: | 14 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AT28C010-15UM | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM | |
AT28C010-15UM/883 | ATMEL |
获取价格 |
1 Megabit 128K x 8 Paged CMOS E2PROM | |
AT28C010-15VC | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM | |
AT28C010-15VI | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 128KX8, 150ns, Parallel, CMOS, 0.356 X 0.429 INCH, DIE-34 | |
AT28C010-15VM | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 128KX8, 150ns, Parallel, CMOS, 0.356 X 0.429 INCH, DIE-34 | |
AT28C010-20 | ATMEL |
获取价格 |
1 Megabit 128K x 8 Paged CMOS E2PROM | |
AT28C010-20BC | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM | |
AT28C010-20BCE | MICROCHIP |
获取价格 |
Memory IC | |
AT28C010-20BI | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM | |
AT28C010-20BIE | MICROCHIP |
获取价格 |
Memory IC |