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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIE |
| 包装说明： | DIE, TAB(UNSPEC) | 针数： | 34 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.73 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 200 ns |
| 其他特性： | PAGE WRITE | 命令用户界面： | NO |
| 数据轮询： | YES | 耐久性： | 10000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-XUUC-N34 | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 34 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 128KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIE |
| 封装等效代码： | TAB(UNSPEC) | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | UNCASED CHIP | 页面大小： | 128 words |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 5 V | 编程电压： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.0003 A |
| 子类别： | EEPROMs | 最大压摆率： | 0.08 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 切换位： | YES |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 10 ms | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AT28C010-20BCE | MICROCHIP |
获取价格 |
Memory IC |
|
| AT28C010-20BI | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
|
| AT28C010-20BIE | MICROCHIP |
获取价格 |
Memory IC |
|
| AT28C010-20BM | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
|
| AT28C010-20BM/883 | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
|
| AT28C010-20BM/883E | MICROCHIP |
获取价格 |
Memory IC, |
|
| AT28C010-20BME | MICROCHIP |
获取价格 |
Memory IC |
|
| AT28C010-20DM/883 | ATMEL |
获取价格 |
1 Megabit 128K x 8 Paged CMOS E2PROM |
|
| AT28C010-20DM/883 | MICROCHIP |
获取价格 |
EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP32 |
|
| AT28C010-20EM/883 | ATMEL |
获取价格 |
1 Megabit 128K x 8 Paged CMOS E2PROM |
|
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