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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP | 包装说明： | TSOP1, TSSOP28,.53,22 |
| 针数： | 28 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.89 | 最长访问时间： | 300 ns |
| 其他特性： | 10 YEARS DATA RETENTION | 命令用户界面： | NO |
| 数据轮询： | YES | 数据保留时间-最小值： | 10 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 11.8 mm | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 2048 words |
| 字数代码： | 2000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 2KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP1 |
| 封装等效代码： | TSSOP28,.53,22 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 电源： | 3/3.3 V |
| 编程电压： | 3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大待机电流： | 0.00005 A | 子类别： | EEPROMs |
| 最大压摆率： | 0.008 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.55 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 切换位： | NO | 宽度： | 8 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 3 ms |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AT28BV16-30TIT/R | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 2KX8, 300ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28 |
|
| AT28BV16-DWF | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 250ns, Parallel, CMOS |
|
| AT28BV16-W | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 250ns, Parallel, CMOS |
|
| AT28BV256 | ATMEL |
获取价格 |
256K (32K x 8) Battery-Voltage Parallel EEPROMs |
|
| AT28BV256_09 | ATMEL |
获取价格 |
256K (32K x 8) Battery-Voltage Parallel EEPROMs |
|
| AT28BV256-20 | ATMEL |
获取价格 |
256K (32K x 8) Battery-Voltage Parallel EEPROMs |
|
| AT28BV256-20JC | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
|
| AT28BV256-20JI | ATMEL |
获取价格 |
256K (32K x 8) Battery-Voltage Parallel EEPROMs |
|
| AT28BV256-20JJ | MICROCHIP |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PQCC32 |
|
| AT28BV256-20JU | ATMEL |
获取价格 |
256K (32K x 8) Battery-Voltage Parallel EEPROMs |
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