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AS7C33512PFS16A-150BC PDF预览

AS7C33512PFS16A-150BC

更新时间： 2024-01-15 09:21:08
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 370K
描述
Standard SRAM, 512KX16, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 20 MM, BGA-119

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AS7C33512PFS16A-150BC 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：LBGA,针数：119
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.64
最长访问时间：10 ns其他特性：FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码：R-PBGA-B119JESD-609代码：e0
长度：22 mm内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：119
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：512KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.7 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.465 V最小供电电压 (Vsup)：3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：TIN LEAD端子形式：BALL
端子节距：1.27 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：14 mm
Base Number Matches：1

AS7C33512PFS16A-150BC 数据手册

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AS7C33512PFS16A  
AS7C33512PFS18A  
®
Synchronous truth table  
Address  
accessed  
1
CE0  
H
L
CE1  
X
L
CE2 ADSP ADSC ADV  
WEn  
X
X
X
X
X
X
X
F
OE  
X
X
X
X
X
L
CLK  
Operation  
Deselect  
DQ  
Hi−Z  
Hi−Z  
Hi−Z  
Hi−Z  
Hi−Z  
Hi−Z2  
Hi−Z  
Hi−Z2  
Hi−Z  
Q
X
X
X
H
H
L
X
L
L
X
L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
NA  
NA  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
Deselect  
L
L
H
L
NA  
Deselect  
L
X
X
H
H
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
H
X
X
X
X
X
L
NA  
Deselect  
L
H
L
NA  
Deselect  
L
X
X
L
External  
External  
External  
External  
Next  
Begin read  
Begin read  
Begin read  
Begin read  
Cont. read  
Cont. read  
Suspend read  
Suspend read  
Cont. read  
Cont. read  
Suspend read  
Suspend read  
Begin write  
Cont. write  
Cont. write  
Suspend write  
Suspend write  
L
L
L
H
L
L
L
H
H
H
H
H
H
X
X
X
X
H
H
X
H
X
L
L
L
F
H
L
X
X
X
X
H
H
H
H
L
X
X
X
X
X
X
X
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
L
F
L
F
H
L
Next  
Hi−Z  
Q
H
H
L
F
Current  
Current  
Next  
F
H
L
Hi−Z  
Q
F
L
F
H
L
Next  
Hi−Z  
Q
H
H
X
L
F
Current  
Current  
External  
Next  
F
H
X
X
X
X
X
Hi−Z  
D3  
T
T
T
T
T
X
H
X
H
X
X
X
X
H
H
H
H
D
L
Next  
D
H
H
Current  
Current  
D
D
Key: X = Don’t Care, L = Low, H = High.  
1
2
3
See “Write enable truth table” on page 4 for more information.  
Q in flow through mode  
For WRITE operation following a READ, OE must be HIGH before the input data set up time and held HIGH throughout the input hold time.  
Recommended operating conditions  
Parameter  
Symbol  
VDD  
VSS  
Min  
3.135  
0.0  
Nominal  
Max  
3.465  
0.0  
Unit  
3.3  
0.0  
3.3  
0.0  
2.5  
0.0  
–
Supply voltage  
V
VDDQ  
VSSQ  
VDDQ  
VSSQ  
VIH  
3.135  
0.0  
3.465  
0.0  
3.3V I/O supply  
voltage  
V
V
V
2.35  
0.0  
2.9  
2.5V I/O supply  
voltage  
0.0  
2.0  
–0.52  
VDD + 0.3  
0.8  
Address and  
control pins  
VIL  
–
Input voltages1  
VIH  
2.0  
–
VDDQ + 0.3  
0.8  
I/O pins  
V
VIL  
–0.52  
0
–
Ambient operating temperature  
TA  
–
70  
°C  
1 Input voltage ranges apply to 3.3V I/O operation. For 2.5V I/O operation, contact factory for input specifications.  
2 V min = –2.0V for pulse width less than 0.2 × t  
IL  
.
RC  
4/15/02; v.1.5  
Alliance Semiconductor  
6 of 14  
1...3456789...14

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AS7C33512PFS16A-150BI ISSI Standard SRAM, 512KX16, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 20 MM, BGA-119

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AS7C33512PFS16A-150TQC ISSI Standard SRAM, 512KX16, 10ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100

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