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AS7C33512PFS16A-150TQI PDF预览

AS7C33512PFS16A-150TQI

更新时间： 2024-02-19 23:22:06
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 268K
描述
Standard SRAM, 512KX16, 10ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100

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AS7C33512PFS16A-150TQI 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：QFP
包装说明：LQFP,针数：100
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.51
最长访问时间：10 ns其他特性：FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码：R-PQFP-G100JESD-609代码：e0
长度：20 mm内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：100
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LQFP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.465 V最小供电电压 (Vsup)：3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：14 mm
Base Number Matches：1

AS7C33512PFS16A-150TQI 数据手册

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May 2003  
AS7C33512PFS16A  
AS7C33512PFS18A  
®
3.3V 512K × 16/18 pipelined burst synchronous SRAM  
Features  
• Multiple chip enables for easy expansion  
• 3.3V core power supply  
• 2.5V or 3.3V I/ O operation with separate V  
• Organization: 524,288 words × 16 or 18 bits  
• Fast clock speeds to 166 MHz in LVTTL/ LVCMOS  
• Fast clock to data access: 3.5/ 3.8/ 4.0/ 5.0 ns  
• Fast OEaccess time: 3.5/ 3.8/ 4.0/ 5.0 ns  
• Fully synchronous register-to-register operation  
• Single register “flow-through” option  
• Single-cycle deselect  
DDQ  
• 30 mW typical standby power in power down mode  
1
• NTD™ pipeline architecture available  
(AS7C33512NTD16A/ AS7C33512NTD18A)  
• Asynchronous output enable control  
• Available in 100-pin TQFP  
• Byte write enables  
1. NTD™ is a trademark of Alliance Semiconductor Corporation. All  
trademarks mentioned in this document are the property of their respec-  
tive owners.  
Logic block diagram  
Pin arrangement for TQFP  
LBO  
CLK  
CLK  
CE  
CLR  
ADV  
ADSC  
ADSP  
Burst logic  
512K × 16/ 18  
A
NC  
NC  
1
80  
79  
78  
77  
76  
75  
74  
73  
72  
71  
70  
69  
68  
67  
66  
65  
64  
63  
62  
61  
60  
59  
58  
57  
56  
55  
54  
53  
52  
51  
NC  
NC  
VDDQ  
2
Memory  
array  
2
2
19  
NC  
3
19 17  
19  
AddresQs  
register  
V
D
A[18:0]  
VDDQ  
4
V
5
SSQ  
SSQ  
CS  
NC  
NC  
NC  
6
DQpa/ NC  
DQa  
7
CLK  
DQb  
DQb  
8
DQa  
9
16/ 18  
16/ 18  
V
V
10  
11  
SSQ  
SSQ  
VDDQ  
DQa  
DQa  
VSS  
V
DDQ  
GWE  
BW  
b
D
Q
DQb  
DQb 12  
DQb 13  
FT 14  
Byte Write  
registers  
TQFP 14 × 20mm  
BWE  
VDD  
NC  
VDD  
ZZ  
15  
CLK  
NC 16  
17  
D
Q
DQa  
V
SS  
2
BW  
a
Byte Write  
DQa  
DQa  
VDDQ  
DQb 18  
DQb 19  
VDDQ 20  
registers  
CLK  
V
V
21  
SSQ  
DSQSQb 22  
CE0  
CE1  
CE2  
OE  
DEnableQ  
register  
Input  
DQa  
DQa  
NC  
Output  
DQb 23  
registers  
registers  
DQpb/ NC 24  
NC 25  
CE  
NC  
CLK  
CLK  
CLK  
V
V
26  
27  
SSQ  
SSQ  
VDDQ  
NC  
V
DEnableQ  
DDQ  
NC 28  
NC 29  
NC 30  
Power  
down  
delay  
ZZ  
NC  
register  
NC  
CLK  
OE  
16/ 18  
DQ[a,b]  
Note: Pins 24 and 74 are NC for x 16.  
FT  
Selection guide  
–166  
6
–150  
6.6  
–133  
7.5  
133  
4
–100  
10  
Units  
ns  
Minimum cycle time  
Maximum pipelined clock frequency  
Maximum pipelined clock access time  
Maximum operating current  
166  
3.5  
475  
130  
30  
150  
3.8  
100  
5
MHz  
ns  
450  
110  
30  
425  
100  
30  
325  
90  
mA  
mA  
mA  
Maximum standby current  
Maximum CMOS standby current (DC)  
30  
5/ 9/ 03, v.1.8.1  
Alliance Semiconductor  
1 of 13  
Copyright © Alliance Semiconductor. All rights reserved.  
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