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AS7C33256NTD32A-166HTQI PDF预览

AS7C33256NTD32A-166HTQI

更新时间： 2024-11-03 20:59:27
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 194K
描述
ZBT SRAM, 256KX32, 9ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100

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AS7C33256NTD32A-166HTQI 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：QFP
包装说明：LQFP,针数：100
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.64
最长访问时间：9 ns其他特性：FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码：R-PQFP-G100JESD-609代码：e0
长度：20 mm内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：ZBT SRAM内存宽度：32
功能数量：1端子数量：100
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX32
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LQFP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.465 V最小供电电压 (Vsup)：3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：14 mm
Base Number Matches：1

AS7C33256NTD32A-166HTQI 数据手册

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May 2002  
AS7C33256NTD32A  
AS7C33256NTD36A  
&
1
TM  
ꢏꢐꢏꢑꢇꢒꢓꢔꢕꢖꢏꢒꢗꢏꢔꢇꢈꢘꢀꢙꢇꢚꢂꢍꢛꢇꢜꢝ  
Features  
• Organization: 262,144 words × 32 or 36 bits  
• NTD architecture for efficient bus operation  
• Available in 100-pin TQFP  
• Byte write enables  
™1  
• Fast clock speeds to 166 MHz in LVTTL/ LVCMOS  
• Fast clock to data access: 3.0/ 3.5/ 3.8/ 4/ 5 ns  
• Fast OEaccess time: 3.5/ 3.8/ 4/ 5 ns  
• Fully synchronous operation  
• Clock enable for operation hold  
• Multiple chip enables for easy expansion  
• 3.3 core power supply  
• 2.5V or 3.3V I/ O operation with separate V  
DDQ  
• “Flow-through” or “pipelined” mode  
• Asynchronous output enable control  
• 30 mW typical standby power  
• Self-timed write cycles  
• Interleaved or linear burst modes  
• Snooze mode for standby operation  
™
1. NTD is a trademark of Alliance Semiconductor Corporation.  
Logic block diagram  
18  
18  
Q
D Address  
register  
Burst logic  
A[17:0]  
CLK  
D
Q
CE0  
CE1  
CE2  
Write delay  
addr. registers  
CLK  
18  
R/W  
BWa  
BWb  
BWc  
Control  
logic  
CLK  
BWd  
256K x 32/ 36  
SRAM  
ADV / LD  
FT  
LBO  
ZZ  
CLK  
Array  
36/ 32  
36/ 32  
Data  
Register  
CLK  
DATA [a:d]  
Q
D Input  
36/ 32  
36/ 32  
36/ 32  
CLK  
CEN  
CLK  
Output  
Register  
OE  
36/ 32  
DATA [a:d]  
OE  
Selection guide  
-166  
6
-150  
6.7  
-133  
7.5  
133  
4
-100  
10  
Units  
ns  
Minimum cycle time  
Maximum pipelined clock frequency  
Maximum pipelined clock access time  
Maximum operating current  
166  
3.0/ 3.51  
150  
3.8  
100  
5
MHz  
ns  
475  
425  
110  
30  
400  
100  
30  
300  
90  
mA  
mA  
mA  
Maximum standby current  
130  
Maximum CMOS standby current (DC)  
30  
30  
1 3.0 ns available on 166 MHz parts with “H” suffix. For further information see page 7 and last page with ordering codes.  
ꢉꢗꢘꢙꢘꢚꢛꢜꢉꢖꢔꢝꢔ ꢔꢛ!  
ꢀꢁꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢇꢈꢆꢉꢂꢅꢊꢄꢋꢌꢅꢍꢊꢎ  
"ꢔꢉꢝꢉꢁ#ꢉꢝꢛ  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢇꢈꢉ'ꢉꢊꢋꢋꢅꢌꢍꢎꢏꢉꢐꢏꢑꢅꢎꢁꢍꢒꢓꢎꢈꢁꢄꢔꢉꢊꢋꢋꢉꢄꢅꢆꢇꢈꢕꢉꢄꢏꢕꢏꢄꢖꢏꢒꢔ  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AS7C33256NTD32A-166TQC ALSC

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 		3.3V 256K x 2/36 Pipelined burst Synchronous SRAM with NTD
AS7C33256NTD32A-166TQC ISSI

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 		ZBT SRAM, 256KX32, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
AS7C33256NTD32A-166TQCN ALSC

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 		3.3V 256K x 2/36 Pipelined burst Synchronous SRAM with NTD
AS7C33256NTD32A-166TQI ALSC

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 		3.3V 256K x 2/36 Pipelined burst Synchronous SRAM with NTD
AS7C33256NTD32A-166TQIN ALSC

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 		3.3V 256K x 2/36 Pipelined burst Synchronous SRAM with NTD
AS7C33256NTD32A-166TQIN ISSI

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 		ZBT SRAM, 256KX32, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100
AS7C33256NTD36A-100BC ISSI

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 		ZBT SRAM, 256KX36, 12ns, CMOS, PBGA119, 14 X 20 MM, BGA-119
AS7C33256NTD36A-100BI ISSI

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 		ZBT SRAM, 256KX36, 12ns, CMOS, PBGA119, 14 X 20 MM, BGA-119
AS7C33256NTD36A-133BC ISSI

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 		ZBT SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 20 MM, BGA-119
AS7C33256NTD36A-133BI ISSI

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 		ZBT SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 20 MM, BGA-119

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