Datasheet > AS7C33256NTD36A-133BI

AS7C33256NTD36A-133BI

更新时间： 2024-12-01 03:26:31

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器
页数	文件大小	规格书
12页	324K
描述
ZBT SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 20 MM, BGA-119

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

AS7C33256NTD36A-133BI 数据手册

浏览型号AS7C33256NTD36A-133BI的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号AS7C33256NTD36A-133BI的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号AS7C33256NTD36A-133BI的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号AS7C33256NTD36A-133BI的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号AS7C33256NTD36A-133BI的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号AS7C33256NTD36A-133BI的Datasheet PDF文件第7页

March 2002

AS7C33256NTD32A

AS7C33256NTD36A

ꢏꢐꢏꢑꢇꢒꢓꢔꢕꢖꢏꢒꢗꢏꢔꢇꢈꢘꢀꢙꢇꢚꢂꢍꢛꢇꢜꢝ

Features

• Organization: 262,144 words × 32 or 36 bits

• NTD architecture for efficient bus operation

• Available in 100-pin TQFP and 119-ball BGA package

• Byte write enables

™1

• Fast clock speeds to 166 MHz in LVTTL/LVCMOS

• Fast clock to data access: 3.0/3.5/3.8/4/5 ns

• Fast OE access time: 3.5/3.8/4/5 ns

• Fully synchronous operation

• “Flow-through” or “pipelined” mode

• Asynchronous output enable control

• Clock enable for operation hold

• Multiple chip enables for easy expansion

• 3.3 core power supply

• 2.5V or 3.3V I/O operation with separate V

• 30 mW typical standby power

• Self-timed write cycles

DDQ

• Interleaved or linear burst modes

• Snooze mode for standby operation

™

1. NTD is a trademark of Alliance Semiconductor Corporation.

Logic block diagram

^DAddress

Burst logic

A[17:0]

CLK

CE0

CE1

CE2

Write delay

addr. registers

CLK

R/W

BWa

BWb

BWc

Control

logic

CLK

BWd

256K x 32/36

SRAM

ADV / LD

CLK

LBO

Array

36/32

Data

CLK

DATA [a:d]

Input

36/32

CLK

CEN

CLK

Output

36/32

DATA [a:d]

Selection guide

-166

-150

6.7

-133

7.5

133

-100

Units

Minimum cycle time

MHz

Maximum pipelined clock frequency

Maximum pipelined clock access time

Maximum operating current

166

3.0/3.5¹

150

3.8

100

475

425

110

400

100

300

Maximum standby current

130

Maximum CMOS standby current (DC)

1 3.0 ns available on 166 MHz parts with “H” suffix. For further information see page 7 and last page with ordering codes.

ꢉꢗꢘꢙꢙꢘꢚꢛꢜꢉꢖꢔꢙꢔꢝ

ꢀꢁꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢇꢈꢆꢉꢂꢅꢊꢄꢋꢌꢅꢍꢊꢎ

!ꢔꢉꢙꢉꢁ"ꢉꢙꢛ

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢇꢈꢉ'ꢉꢊꢋꢋꢅꢌꢍꢎꢏꢉꢐꢏꢑꢅꢎꢁꢍꢒꢓꢎꢈꢁꢄꢔꢉꢊꢋꢋꢉꢄꢅꢆꢇꢈꢕꢉꢄꢏꢕꢏꢄꢖꢏꢒꢔ

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

与AS7C33256NTD36A-133BI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AS7C33256NTD36A-133TQC	ALSC	获取价格	3.3V 256K x 2/36 Pipelined burst Synchronous SRAM with NTD
AS7C33256NTD36A-133TQCN	ALSC	获取价格	3.3V 256K x 2/36 Pipelined burst Synchronous SRAM with NTD
AS7C33256NTD36A-133TQCN	ISSI	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100
AS7C33256NTD36A-133TQI	ALSC	获取价格	3.3V 256K x 2/36 Pipelined burst Synchronous SRAM with NTD
AS7C33256NTD36A-133TQIN	ALSC	获取价格	3.3V 256K x 2/36 Pipelined burst Synchronous SRAM with NTD
AS7C33256NTD36A-133TQIN	ISSI	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100
AS7C33256NTD36A-150BC	ISSI	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 20 MM, BGA-119
AS7C33256NTD36A-150BI	ISSI	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 20 MM, BGA-119
AS7C33256NTD36A-166BC	ISSI	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 9ns, CMOS, PBGA119, 14 X 20 MM, BGA-119
AS7C33256NTD36A-166BI	ISSI	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 9ns, CMOS, PBGA119, 14 X 20 MM, BGA-119

与AS7C33256NTD36A-133BI相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

52
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

41
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

69
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

65

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

AS7C33256NTD36A-133BI

AS7C33256NTD36A-133BI 数据手册

与AS7C33256NTD36A-133BI相关器件

与AS7C33256NTD36A-133BI相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

AS7C33256NTD36A-133BI

AS7C33256NTD36A-133BI 数据手册

与AS7C33256NTD36A-133BI相关器件

与AS7C33256NTD36A-133BI相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？