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AS7C33256NTD36A-133BI

更新时间： 2024-11-04 03:26:31

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器
页数	文件大小	规格书
12页	324K
描述
ZBT SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 20 MM, BGA-119

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March 2002

AS7C33256NTD32A

AS7C33256NTD36A

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Features

• Organization: 262,144 words × 32 or 36 bits

• NTD architecture for efficient bus operation

• Available in 100-pin TQFP and 119-ball BGA package

• Byte write enables

™1

• Fast clock speeds to 166 MHz in LVTTL/LVCMOS

• Fast clock to data access: 3.0/3.5/3.8/4/5 ns

• Fast OE access time: 3.5/3.8/4/5 ns

• Fully synchronous operation

• “Flow-through” or “pipelined” mode

• Asynchronous output enable control

• Clock enable for operation hold

• Multiple chip enables for easy expansion

• 3.3 core power supply

• 2.5V or 3.3V I/O operation with separate V

• 30 mW typical standby power

• Self-timed write cycles

DDQ

• Interleaved or linear burst modes

• Snooze mode for standby operation

™

1. NTD is a trademark of Alliance Semiconductor Corporation.

Logic block diagram

^DAddress

Burst logic

A[17:0]

CLK

CE0

CE1

CE2

Write delay

addr. registers

CLK

R/W

BWa

BWb

BWc

Control

logic

CLK

BWd

256K x 32/36

SRAM

ADV / LD

CLK

LBO

Array

36/32

Data

CLK

DATA [a:d]

Input

36/32

CLK

CEN

CLK

Output

36/32

DATA [a:d]

Selection guide

-166

-150

6.7

-133

7.5

133

-100

Units

Minimum cycle time

MHz

Maximum pipelined clock frequency

Maximum pipelined clock access time

Maximum operating current

166

3.0/3.5¹

150

3.8

100

475

425

110

400

100

300

Maximum standby current

130

Maximum CMOS standby current (DC)

1 3.0 ns available on 166 MHz parts with “H” suffix. For further information see page 7 and last page with ordering codes.

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AS7C33256NTD36A-166BI	ISSI	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 9ns, CMOS, PBGA119, 14 X 20 MM, BGA-119

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