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AS7C33256NTD36A-166HTQI

更新时间： 2024-11-04 03:23:07

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器
页数	文件大小	规格书
12页	194K
描述
ZBT SRAM, 256KX36, 9ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100

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May 2002

AS7C33256NTD32A

AS7C33256NTD36A

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Features

• Organization: 262,144 words × 32 or 36 bits

• NTD architecture for efficient bus operation

• Available in 100-pin TQFP

• Byte write enables

™1

• Fast clock speeds to 166 MHz in LVTTL/ LVCMOS

• Fast clock to data access: 3.0/ 3.5/ 3.8/ 4/ 5 ns

• Fast OEaccess time: 3.5/ 3.8/ 4/ 5 ns

• Fully synchronous operation

• Clock enable for operation hold

• Multiple chip enables for easy expansion

• 3.3 core power supply

• 2.5V or 3.3V I/ O operation with separate V

DDQ

• “Flow-through” or “pipelined” mode

• Asynchronous output enable control

• 30 mW typical standby power

• Self-timed write cycles

• Interleaved or linear burst modes

• Snooze mode for standby operation

™

1. NTD is a trademark of Alliance Semiconductor Corporation.

Logic block diagram

^DAddress

Burst logic

A[17:0]

CLK

CE0

CE1

CE2

Write delay

addr. registers

CLK

R/W

BWa

BWb

BWc

Control

logic

CLK

BWd

256K x 32/ 36

SRAM

ADV / LD

LBO

CLK

Array

36/ 32

Data

CLK

DATA [a:d]

^DInput

36/ 32

CLK

CEN

CLK

Output

36/ 32

DATA [a:d]

Selection guide

-166

-150

6.7

-133

7.5

133

-100

Units

Minimum cycle time

Maximum pipelined clock frequency

Maximum pipelined clock access time

Maximum operating current

166

3.0/ 3.5¹

150

3.8

100

MHz

475

425

110

400

100

300

Maximum standby current

130

Maximum CMOS standby current (DC)

1 3.0 ns available on 166 MHz parts with “H” suffix. For further information see page 7 and last page with ordering codes.

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AS7C33256NTD36A-166TQIN	ALSC	获取价格	3.3V 256K x 2/36 Pipelined burst Synchronous SRAM with NTD
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