Datasheet > 存储 > DRAM> AS4LC4M16S0-75TC

AS4LC4M16S0-75TC

更新时间： 2024-01-16 22:42:04

品牌	Logo	应用领域
ALSC		存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数	文件大小	规格书
24页	548K
描述
3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

AS4LC4M16S0-75TC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2,
针数：	54	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.28	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G54
长度：	22.22 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

AS4LC4M16S0-75TC 数据手册

AS4LC8M8S0

AS4LC4M16S0

Mode register fields

Address

A11~A10 A9

RFU^†

WBL

Function

CAS latency

Burst length

†

RFU = 0 during MRS cycle.

Write burst length

Burst type

Length

Type

Sequential

Interleaved

Programmed

burst length

Single burst

Test mode

A8 A7

Type

Mode register set

Reserved

CAS latency

Burst length

A6 A5

Latency

BT = 0

BT = 1

Reserved

Reserved Reserved

Full page Reserved

7/ 5/ 00

ALLIANCE SEMICONDUCTOR

1 2 3 456 7 8...24

下载PDF

与AS4LC4M16S0-75TC相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
AS4LC4M16S0-8TC	ALSC	3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM	获取价格
AS4LC4M16SO-10TC	ALSC	DRAM	获取价格
AS4LC4M16SO-8TC	ALSC	DRAM	获取价格
AS4LC4M4	AUSTIN	4M x 4 CMOS DRAM WITH FAST PAGE MODE, 3.3V	获取价格
AS4LC4M4883C	AUSTIN	4 MEG x 4 DRAM 3.3V, EDO PAGE MODE	获取价格
AS4LC4M4DG-6/IT	AUSTIN	4M x 4 CMOS DRAM WITH FAST PAGE MODE, 3.3V	获取价格