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AS4LC4M16S0-75TC

更新时间： 2024-01-21 01:01:35

品牌	Logo	应用领域
ALSC		存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数	文件大小	规格书
24页	548K
描述
3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM

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技术参数
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AS4LC4M16S0-75TC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2,
针数：	54	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.28	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G54
长度：	22.22 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

AS4LC4M16S0-75TC 数据手册

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AS4LC8M8S0

AS4LC4M16S0

specifications and conditions

(0° C ≤ T ≤ 70° C, V , V

= +3.3V ± 0.3V)

DD DDQ

Max

–8

Parameter

Operating current: active mode; burst = 2; READ or WRITE;

_RC= t_RC(min); CAS latency = 3

Symbol

I_DD1

–75

115

–10F/ 10 Units Notes

4, 5

4,5

Standby current: power-down mode; all banks idle;

CKE = low

I_DD2

I_DD3

I_DD4

I_DD5

Standby current: active mode; CKE = high; CS# = high; all

banks active after t_RCDmet; no accesses in progress

4, 5

4,5

Operating current: burst mode; continuous burst; READ or

WRITE; all banks active; CAS latency = 3

140

210

130

210

120

190

t_RFC= t_RFC(min);

4, 5

CL = 3

Auto refresh current: CKE = high;

CS# = high

t_RFC= 15.625ms;

CL = 3

I_DD6

I_DD7

4,5

Self-refresh current: CKE ≤ 0.2V

Notes

specifications are tested after proper initialization of the device.

is dependent on output loading and clock cycle time. Values are specified with minimum cycle time and outputs open.

tests have V = 0V and V = 3V.

IL IH

current will decrease at lower CAS latencies. This is because the lower the latency, the lower the clock cycle time.

Address transitions average one transition every two clock cycles.

7/ 5/ 00

ALLIANCE SEMICONDUCTOR

1...4 5 678 9 10...24

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