ARF1505

更新时间： 2024-09-17 06:37:39

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美高森美 - MICROSEMI		晶体射频场效应晶体管
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RF POWER MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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ARF1505 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	CERAMIC PACKAGE-6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.24
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	1200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	25 A
最大漏极电流 (ID)：	25 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	S-CDFP-F6
JESD-609代码：	e1	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLATPACK	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1500 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ARF1505 数据手册

ARF1505

BeO

1525-xx

RF POWER MOSFET

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

300V 750W

40MHz

TheARF1505 is an RF power transistor designed for off-line 300V operation in very high power scientiﬁc, commercial,

medical and industrial RF power generator and ampliﬁer applications up to 40 MHz.

• Speciﬁed 300 Volt, 27.12 MHz Characteristics:

• High Performance Power RF Package.

• Very High Breakdown for Improved Ruggedness.

• Low Thermal Resistance.

•

Output Power = 750 Watts.

Gain = 17dB (Class C)

Efﬁciency > 75%

• Nitride Passivated Die for Improved Reliability.

• RoHS Compliant

MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter

All Ratings: T = 25°C unless otherwise speciﬁed.

ARF1505

1200

UNIT

Volts

V_DSS

I_D

Drain-Source Voltage

Amps

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Gate-Source Voltage

V_GS

P_D

±30

Volts

1500

Watts

Total Device Dissipation @ T_C= 25°C

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to 175

300

°C

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

BV_DSS

1200

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 250 μA)

Volts

V_DS_(ON)

On State Drain Voltage (I_D_(ON)= 12.5A, V_GS= 10V)

9.5

100

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= V_DSS, V_GS= 0V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 0.8 V_DSS, V_GS= 0V, T_C= 125°C)

I_DSS

μA

1000

±400

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±30V, V_DS= 0V)

Forward Transconductance (V_DS= 25V, I_D= 12.5A)

RMS Voltage (60Hz Sinewave from terminals to mounting surface for 1 minute)

I_GSS

g_fs

V_isolation

V_GS_(TH)

5.5

TBD

mhos

Volts

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 50mA)

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic (per package unless otherwise noted)

Symbol

R_θJC

MIN

TYP

MAX

UNIT

Junction to Case

0.10

°C/W

R_θJHS

Junction to Sink ^{(Use High Efﬁciency Thermal Joint Compound and Planar Heat Sink Surface.)}

0.16

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

Microsemi Website - http://www.microsemi.com

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