ARF1510

更新时间： 2024-11-07 06:37:39

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美高森美 - MICROSEMI		晶体射频场效应晶体管放大器
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RF POWER MOSFET FULL-BRIDGE

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ARF1510 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	CERAMIC PACKAGE-10
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.23	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.5 A	最大漏极电流 (ID)：	6.5 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-XDSO-F10	JESD-609代码：	e1
湿度敏感等级：	1	元件数量：	4
端子数量：	10	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1500 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ARF1510 数据手册

ARF1510

S1D2

S3D4

S1D2

ARF1510

RF POWER MOSFET

FULL-BRIDGE

400V 750W

40MHz

The ARF1510 is four RF power transistor arranged in an H-Bridge conﬁguration. It is intended for off-line 300V

operation in high power scientiﬁc, medical and, industrial RF power generator and ampliﬁer applications up to 40

MHz.

• High Performance Power RF Package.

• Speciﬁed 300 Volt, 27.12 MHz Characteristics:

•

• Very High Breakdown for Improved Ruggedness.

Output Power = 750 Watts.

Gain = 17dB (Class D)

• Low Thermal Resistance.

• Nitride Passivated Die for Improved Reliability.

• RoHS Compliant

MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter

All Ratings: T = 25°C unless otherwise speciﬁed.

ARF 1510

1000

UNIT

Volts

V_DSS

I_D

Drain-Source Voltage

Amps

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Gate-Source Voltage

V_GS

P_D

±30

Volts

1500

Watts

Total Device Dissipation @ T_C= 25°C

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to 175

300

°C

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

BV_DSS

1000

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 250 μA)

Volts

V_DS_(ON)

6.8

7.5

On State Drain Voltage (I_D_(ON)= 3.25A, V_GS= 10V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 1000V, V_GS= 0V)

I_DSS

μA

250

±100

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 800V, V_GS= 0V, T_C= 125°C)

I_GSS

g_fs

V_isolation

V_GS_(TH)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±30V, V_DS= 0V)

Forward Transconductance (V_DS= 25V, I_D= 3.25A)

RMS Voltage (60Hz Sinewave from terminals to mounting surface for 1 minute)

TBD

mhos

Volts

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 50mA)

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

R_θJC

MIN

TYP

MAX

UNIT

Characteristic (per package unless otherwise noted)

Junction to Case

0.10

°C/W

R_θJHS

0.16

Junction to Sink ^{(Use High Efﬁciency Thermal Joint Compound and Planar Heat Sink Surface.)}

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

Microsemi Website - http://www.microsemi.com

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