ARF1519

更新时间： 2024-11-07 03:19:23

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RF POWER MOSFET

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ARF1519 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.74
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (ID)：	20 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ARF1519 数据手册

ARF1519

BeO

104T-100

RF POWER MOSFET

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

250V 750W 25MHz

TheARF1519isanRFpowertransistordesignedforveryhighpowerscientific, commercial, medicalandindustrialRF

power generator and amplifier applications up to 25 MHz.

• Specified250Volt, 13.56MHzCharacteristics:

• High Performance Power RF Package.

•

Output Power = 750 Watts.

Gain = 17dB (Class C)

Efficiency > 75%

• Very High Breakdown for Improved Ruggedness.

• Low Thermal Resistance.

• Nitride Passivated Die for Improved Reliability.

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

Symbol Parameter

ARF1519

1000

UNIT

Volts

Amps

V_DSS

Drain-Source Voltage

I_D

V_GS

P_D

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Gate-Source Voltage

±30

Volts

1350

Total Device Dissipation @ T_C= 25°C

Operating and Storage Junction Temperature Range

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

Watts

T_J,T_STG

T_L

-55 to 200

300

°C

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 300µA)

BV_DSS

1000

Volts

On State Drain Voltage (I_D_(ON)= 10A, V_GS= 10V)

V_DS

(ON)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 1000V, V_GS= 0V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 800V, V_GS= 0V, T_C= 125°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±30V, V_DS= 0V)

Forward Transconductance (V_DS= 15V, I_D= 10A)

300

I_DSS

µA

3000

±600

I_GSS

g_fs

2500

mhos

Volts

RMS Voltage (60Hz Sinewave from terminals to mounting surface for 1 minute)

V_isolation

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 6mA)

V_GS

(TH)

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic (per package unless otherwise noted)

MIN

TYP

MAX

UNIT

R_θJC

R_θCS

Junction to Case

0.13

°C/W

Case to Sink (Use High Efficiency Thermal Joint Compound and Planar Heat Sink Surface.)

0.09

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

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