ARF1519

更新时间： 2024-02-18 06:18:30

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美高森美 - MICROSEMI		晶体射频场效应晶体管放大器局域网
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描述
RF POWER MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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ARF1519 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	CERAMIC PACKAGE-2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.26	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A
最大漏极电流 (ID)：	20 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1350 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ARF1519 数据手册

ARF1519

BeO

104T-100

RF POWER MOSFET

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

250V 750W

25MHz

The ARF1519 is an RF power transistor designed for very high power scientiﬁc, commercial, medical and industrial

RF power generator and ampliﬁer applications up to 25 MHz.

• Speciﬁed 250 Volt, 13.56 MHz Characteristics:

• High Performance Power RF Package.

• Very High Breakdown for Improved Ruggedness.

• Low Thermal Resistance.

•

Output Power = 750 Watts.

Gain = 17dB (Class C)

Efﬁciency > 75%

• Nitride Passivated Die for Improved Reliability.

MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter

All Ratings: T = 25°C unless otherwise speciﬁed.

ARF1519

1000

UNIT

Volts

V_DSS

I_D

Drain-Source Voltage

Amps

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Gate-Source Voltage

V_GS

P_D

±30

Volts

1350

Watts

Total Device Dissipation @ T_C= 25°C

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to 175

300

°C

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 300μA)

BV_DSS

V_DS_(ON)

1000

Volts

On State Drain Voltage (I_D_(ON)= 10A, V_GS= 10V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 1000V, V_GS= 0V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 800V, V_GS= 0V, T_C= 125°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±30V, V_DS= 0V)

Forward Transconductance (V_DS= 15V, I_D= 10A)

300

I_DSS

μA

3000

±600

I_GSS

g_fs

V_isolation

V_GS_(TH)

TBD

mhos

Volts

RMS Voltage (60Hz Sinewave from terminals to mounting surface for 1 minute)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 6mA)

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic (per package unless otherwise noted)

MIN

TYP

MAX

UNIT

R_θJC

R_θCS

Junction to Case

0.13

°C/W

Case to Sink (Use High Efﬁciency Thermal Joint Compound and Planar Heat Sink Surface.)

0.09

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

Microsemi Website - http://www.microsemi.com

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