ARF1519

更新时间： 2024-02-20 13:33:49

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美高森美 - MICROSEMI		晶体射频场效应晶体管放大器局域网
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4页	132K
描述
RF POWER MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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ARF1519 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	CERAMIC PACKAGE-2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.26	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A
最大漏极电流 (ID)：	20 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1350 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ARF1519 数据手册

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic

ARF1519

UNIT

Test Conditions

MIN

TYP

4600

310

MAX

5600

350

C_iss

Input Capacitance

V_GS= 0V

C_oss

Output Capacitance

_DS= 150V

f = 1 MHz

C_rss

Reverse Transfer Capacitance

120

FUNCTIONAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic

MIN

TYP

MAX

Test Conditions

UNIT

G_PS

Common Source Ampliﬁer Power Gain

Drain Efﬁciency

f = 13.56MHz

V_GS= 0V

V_DD= 200V

_out= 750W

Electrical Ruggedness VSWR 10:1

No Degradation in Output Power

Pulse Test: Pulse width < 380 μS, Duty Cycle < 2%.

Microsemi reserves the right to change, without notice, the speciﬁcations and information contained herein.

Per transistor section unless otherwise speciﬁed.

V_DS> I_D(ON) x R_DS(ON)MAX.

250μSEC. PULSE TEST

@ <0.5 % DUTY CYCLE

C_iss

T_J= -55°C

C_oss

C_rss

T_J= +25°C

T_J= +125°C

100 200

V_DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)

_GS, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)

Figure 1, Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage

Figure 2, Typical Transfer Characteristics

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