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ARF1510

更新时间： 2024-09-17 06:37:39
品牌 Logo 应用领域
ADPOW 晶体射频场效应晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 83K
描述
RF POWER MOSFET

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ARF1510 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-F10
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.76
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS最小漏源击穿电压：1000 V
最大漏极电流 (ID)：9 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-XDSO-F10
元件数量：4端子数量：10
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

ARF1510 数据手册

 浏览型号ARF1510的Datasheet PDF文件第2页 
D1  
D3  
ARF1510  
D3  
D1  
G1  
G2  
G3  
G4  
S1D2  
S3D4  
G1  
G3  
S3D4  
S1D2  
ARF1510  
G2  
S2  
G4  
S4  
RF POWER MOSFET  
S2  
S4  
FULL-BRIDGE  
400V 750W 40MHz  
TheARF1510isfourRFpowertransistorarrangedinanH-Bridgeconfiguration. Itisintendedforoff-line300Voperation  
in high power scientific, medical and, industrial RF power generator and amplifier applications up to 40 MHz.  
• Specified300Volt, 27.12MHzCharacteristics:  
• High Performance Power RF Package.  
•
•
•
Output Power = 750 Watts.  
Gain = 17dB (Class D)  
Efficiency > 80%  
• Very High Breakdown for Improved Ruggedness.  
• LowThermalResistance.  
• Nitride Passivated Die for Improved Reliability.  
MAXIMUMRATINGS  
All Ratings Per Die: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
Symbol Parameter  
ARF 1510  
1000  
UNIT  
Volts  
Amps  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
ID  
VGS  
PD  
6.5  
Continuous Drain Current @ TC = 25°C  
Gate-Source Voltage  
±30  
Volts  
1500  
Total Device Dissipation @ TC = 25°C  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.  
Watts  
TJ,TSTG  
TL  
-55 to 200  
300  
°C  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
BVDSS  
Drain-Source Breakdown Voltage (VGS = 0V, ID = 250 µA)  
1000  
Volts  
1
VDS  
On State Drain Voltage (ID(ON) = 3.25A, VGS = 10V)  
6.8  
7.5  
25  
(ON)  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 1000V, VGS = 0V)  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 800V, VGS = 0V, TC = 125°C)  
Gate-Source Leakage Current (VGS = ±30V, VDS = 0V)  
Forward Transconductance (VDS = 25V, ID = 3.25A)  
IDSS  
µA  
250  
±100  
IGSS  
gfs  
nA  
3
2500  
3
4
mhos  
Volts  
Volts  
Visolation  
RMS Voltage (60Hz Sinewave from terminals to mounting surface for 1 minute)  
Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 50mA)  
5
VGS  
(TH)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic (per package unless otherwise noted)  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
RθJC  
RθCS  
Junction to Case  
0.12  
°C/W  
Case to Sink (Use High Efficiency Thermal Joint Compound and Planar Heat Sink Surface.)  
0.08  
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
APT Website - http://www.advancedpower.com  
12

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