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APTGT75DDA60T3

更新时间： 2024-12-01 20:30:19
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 283K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-25

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APTGT75DDA60T3 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：MODULE-25针数：25
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.21
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：100 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：COMMON COLLECTOR, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X25JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：25
最高工作温度：175 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：250 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：310 ns标称接通时间 (ton)：170 ns
VCEsat-Max：1.9 VBase Number Matches：1

APTGT75DDA60T3 数据手册

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APTGT75DDA60T3  
Dual Boost chopper  
Trench + Field Stop IGBT®  
Power Module  
VCES = 600V  
IC = 75A @ Tc = 80°C  
Application  
13 14  
•
•
•
AC and DC motor control  
Switched Mode Power Supplies  
Power Factor Correction  
CR1  
CR2  
Features  
•
Trench + Field Stop IGBT® Technology  
22  
23  
7
8
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Low tail current  
Switching frequency up to 20 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
Q1  
Q2  
32  
26  
27  
4
3
Low leakage current  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
29  
15  
30  
31  
R1  
16  
-
Symmetrical design  
•
•
High level of integration  
Internal thermistor for temperature monitoring  
28 27 26 25  
23 22  
20 19 18  
Benefits  
29  
30  
16  
15  
•
•
•
•
•
•
•
•
Stable temperature behavior  
Very rugged  
Solderable terminals for easy PCB mounting  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Low profile  
Each leg can be easily paralleled to achieve a  
single boost of twice the current capability.  
31  
32  
14  
13  
2
3
4
7
8
10 11  
12  
All multiple inputs and outputs must be shorted together  
Example: 13/14 ; 29/30 ; 22/23 …  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
V
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
600  
TC = 25°C  
100  
IC  
Continuous Collector Current  
A
TC = 80°C  
TC = 25°C  
75  
140  
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
±20  
V
W
TC = 25°C  
TJ = 150°C  
Maximum Power Dissipation  
250  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
150A @ 550V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.  
1 - 5  
APT website – http://www.advancedpower.com  
12345

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与APTGT75DDA60T3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGT75DDA60T3G MICROSEMI

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 		Dual Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75DDA60T3G-Module MICROCHIP

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 		Configuration: Dual boost chopperVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 75Silicon
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 		Asymmetrical - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
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 		Configuration: Asymmetrical bridgeVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 75Silic
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