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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X14 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.66 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 110 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR | JESD-30 代码： | R-XUFM-X14 |
| 元件数量： | 4 | 端子数量： | 14 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 640 ns | 标称接通时间 (ton)： | 335 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTGT75H120TG | MICROSEMI |
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Full - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT75H120TG-Module | MICROCHIP |
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Configuration: Full bridgeVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 75Silicon type: |
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| APTGT75H60T1G | MICROSEMI |
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Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT® Power |
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| APTGT75H60T1G-Module | MICROCHIP |
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Configuration: Full bridgeVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 75Silicon type: |
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| APTGT75H60T3 | ADPOW |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-25 |
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| APTGT75H60T3G | MICROSEMI |
获取价格 |
Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT75H60T3G | ADPOW |
获取价格 |
Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT75H60T3G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Full bridgeVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 75Silicon type: |
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| APTGT75SK120D1 | ADPOW |
获取价格 |
Buck chopper Trench IGBT Power Module |
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| APTGT75SK120D1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 110A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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