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APTGT75DH120T3G

更新时间： 2024-12-01 06:37:31
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
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5页 200K
描述
Asymmetrical - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module

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APTGT75DH120T3G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11针数：25
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.68外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：110 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：COMMON COLLECTOR, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTORJESD-30 代码：R-XUFM-X11
元件数量：2端子数量：11
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：610 ns
标称接通时间 (ton)：335 nsBase Number Matches：1

APTGT75DH120T3G 数据手册

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APTGT75DH120T3G  
Asymmetrical - Bridge  
Fast Trench + Field Stop IGBT  
Power Module  
VCES = 1200V  
IC = 75A @ Tc = 80°C  
13 14  
Application  
•
•
•
Welding converters  
Switched Mode Power Supplies  
Switched Reluctance Motor Drives  
Q1  
CR1  
CR3  
18  
19  
Features  
22  
7
8
•
Fast Trench + Field Stop IGBT Technology  
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Low tail current  
Switching frequency up to 20 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
23  
Q4  
CR2  
CR4  
4
3
Low leakage current  
RBSOA and SCSOA rated  
29  
15  
30  
31  
32  
•
•
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
Internal thermistor for temperature monitoring  
High level of integration  
16  
R1  
28 27 26 25  
23 22  
20 19 18  
Benefits  
29  
30  
16  
•
Outstanding performance at high frequency  
operation  
15  
•
•
•
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Solderable terminals both for power and signal for  
easy PCB mounting  
Low profile  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
RoHS Compliant  
31  
32  
14  
13  
•
•
•
2
3
4
7
8
10 11  
12  
All multiple inputs and outputs must be shorted together  
Example: 13/14 ; 29/30 ; 22/23 …  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
1200  
110  
Unit  
V
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
TC = 25°C  
TC = 80°C  
TC = 25°C  
IC  
Continuous Collector Current  
A
75  
175  
±20  
357  
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
V
W
TC = 25°C  
Tj = 125°C  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
150A @ 1150V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed. See application note  
APT0502 on www.microsemi.com  
1 - 5  
www.microsemi.com  
12345

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与APTGT75DH120T3G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGT75DH120T3G-Module MICROCHIP

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 		Configuration: Asymmetrical bridgeVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 75Silic
APTGT75DH120TG MICROSEMI

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